[實用新型]N溝道大功率半導體恒電流二極管

無效

• 申請號: 200720200015.8
• 申請日: 2007-01-15
• 公開（公告）號: CN201066691Y
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 劉橋
• 申請（專利權）人: 貴州大學
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861
• 代理公司: 貴陽中新專利商標事務所
• 代理人: 劉楠

1.一種N溝道大功率半導體恒電流二極管，它包括N型半導體襯底(2)，其特征在于：在N型半導體襯底(2)下連接有金屬電極(1)，在N型半導體襯底(2)上設有P型半導體區域(6)和P型半導體區域(3)，在P型半導體區域(6)和P型半導體區域(3)之間設有N型溝道(4)，在N型溝道(4)上設有N+型半導體(7)，P型半導體區域(3)、N+型半導體區域(7)與P型半導體區域(6)通過金屬電極(8)連接，在P型半導體區域(3)上設有N+型半導體(5)，N+型半導體(5)連接有金屬電極(9)。

2.如權利要求1所述的N溝道大功率半導體恒電流二極管，其特征在于：金屬電極(9)的輸出電流為20mA-1A。