[實用新型]屏蔽觸頭盒

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200720191374.1
• 申請日: 2007-11-20
• 公開（公告）號: CN201118167Y
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發(fā)明（設計）人: 余金松;吳偉春
• 申請（專利權）人: 寧波電業(yè)局;杭州曙光電器有限公司
• 主分類號: H02G5/00
• 分類號: H02G5/00;H02G5/06
• 代理公司: 杭州九洲專利事務所有限公司
• 代理人: 陳繼亮

技術領域

本實用新型涉及一種觸頭盒，尤其是一種屏蔽觸頭盒。

背景技術

普通觸頭盒內部的母排的尖端，梅花觸頭，以及環(huán)氧樹脂內部的尖角，加上嚴酷的環(huán)境條件之間的電保累積，導致觸頭盒內部、外部出現(xiàn)了電暈放電現(xiàn)象導致絕緣體表面有不同成度的電暈腐蝕現(xiàn)象。A相觸頭盒內的屏蔽套與B相觸頭盒屏蔽套之間的電壓差為40.5KV，常常在接縫之間出現(xiàn)放電現(xiàn)象。主要是由于接縫之間存在一定的空氣間隙由于A、B相觸頭盒之間，使之接縫兩端也就存在一定的電壓差、而產生了放電。

實用新型內容

本實用新型要解決上述現(xiàn)有技術的缺點，提供一種屏蔽觸頭盒。

本實用新型解決其技術問題采用的技術方案：這種屏蔽觸頭盒，主要包括A相觸頭盒和B相觸頭盒，所述A相觸頭盒內設有A相屏蔽套，B相觸頭盒內設有B相屏蔽套，A相觸頭盒和B相觸頭盒之間的接縫處設有半導體硅膠層。

所述的A相觸頭盒上的環(huán)氧樹脂層內設有A相屏蔽套，B相觸頭盒上的環(huán)氧樹脂層內設有B相屏蔽套。

所述的半導體硅膠層5的截面呈形。

本實用新型有益的效果是：1、觸頭盒內部高電位與銅制屏蔽套連接埋設在絕緣體內部使得觸頭盒與屏蔽套形成電位。沒有放電現(xiàn)象。2、硅橡膠半導體材料嵌縫屏蔽，觸頭盒與觸頭盒通過半導體材料距離為100mm左右，實際材料的絕緣性能擊穿電壓26KV/min。遠遠大于使用要求，而且觸頭盒的爬電距離微微1200mm以上，絕對符合圖標要求。解決了產品內外觸頭盒的電解。

附圖說明

圖1是本實用新型的觸頭盒相間結構示意圖。

圖2是本實用新型的單個觸頭盒主視結構示意圖；

附圖標記：A相觸頭盒1，A相屏蔽套2，B相觸頭盒3，B相屏蔽套4，半導體硅膠層5，環(huán)氧樹脂層6。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型作進一步說明：

如圖所示：這種屏蔽觸頭盒，主要包括A相觸頭盒1和B相觸頭盒3，所述A相觸頭盒1上的環(huán)氧樹脂層6內設有A相屏蔽套2，B相觸頭盒3上的環(huán)氧樹脂層6內設有B相屏蔽套4，A相觸頭盒1和B相觸頭盒3之間的接縫處設有半導體硅膠層5，半導體硅膠層5的截面呈形。

工作原理：1、將觸頭盒內部高電位(母排、靜觸頭、梅花觸頭、導電桿)與銅制屏蔽套連接埋設在絕緣體內部使得觸頭盒與屏蔽套形成電位，沒有放電現(xiàn)象。2、觸頭盒相間采用半導體硅橡膠材料嵌屏蔽技術。如圖所示A相觸頭盒內的屏蔽套與B相觸頭盒屏蔽套之間的電壓差為40.5KV，常常在接縫之間出現(xiàn)放電現(xiàn)象。硅橡膠半導體材料嵌縫屏蔽技術解決了放電這一技術難題，觸頭盒與觸頭盒通過半導體材料距離為100mm左右，實際材料的絕緣性能擊穿電壓26KV/min。遠遠大于使用要求，而且觸頭盒的爬電距離微微1200mm以上，絕對符合圖標要求。解決了產品內外觸頭盒的電解。

除上述實施例外，本實用新型還可以有其他實施方式。凡采用等同替換或等效變換形成的技術方案，均落在本實用新型要求的保護范圍。