[實用新型]高溫超導磁探測用杜瓦瓶有效
| 申請號: | 200720187333.5 | 申請日: | 2007-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN201156054Y | 公開(公告)日: | 2008-11-26 |
| 發明(設計)人: | 侯鵬飛;王略;涂凱;米旺;牛輝 | 申請(專利權)人: | 北京斯奎德生物磁技術有限公司 |
| 主分類號: | G01R15/00 | 分類號: | G01R15/00;G01R15/14;F17C1/00 |
| 代理公司: | 北京市德權律師事務所 | 代理人: | 王建國 |
| 地址: | 100043北京市石景山區八*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高溫 超導 探測 用杜瓦瓶 | ||
1、一種高溫超導磁探測用杜瓦瓶,包括:保溫層、真空層、杜瓦層, 其特征在于,在杜瓦瓶的某一壁上蒸鍍有由導電性材料構成的屏蔽膜。
2、如權利要求1所述的高溫超導磁探測用杜瓦瓶,其特征在于,在所 述杜瓦瓶的不同壁上分別蒸鍍有由導電性材料構成的屏蔽膜。
3、如權利要求1或權利要求2所述的高溫超導磁探測用杜瓦瓶,其特 征在于,在不同的壁上蒸鍍不同的導電性材料。
4、如權利要求1或權利要求2所述的高溫超導磁探測用杜瓦瓶,其特 征在于,通過如下公式確定所鍍屏蔽膜的最小厚度:
其中,δ是最小屏蔽膜厚度,f是電磁波的頻率,μ是材料的導磁系數, σ是材料的電導率。
5、如權利要求3所述的高溫超導磁探測用杜瓦瓶,其特征在于,通過 如下公式確定所鍍屏蔽膜的最小厚度:
其中,δ是最小屏蔽膜厚度,f是電磁波的頻率,μ是材料的導磁系數, σ是材料的電導率。
6、如權利要求1或權利要求2所述的高溫超導磁探測用杜瓦瓶,其特 征在于,所述導電性材料為鋁。
7、如權利要求1或權利要求2所述的高溫超導磁探測用杜瓦瓶,其特 征在于,所述導電性材料為銅。
8、如權利要求1或權利要求2所述的高溫超導磁探測用杜瓦瓶,其特 征在于,所述導電性材料為鐵。
9、如權利要求6所述的高溫超導磁探測用杜瓦瓶,其特征在于,所述 屏蔽膜的厚度范圍為0.0085mm≤d≤0.0534mm。
10、如權利要求7所述的高溫超導磁探測用杜瓦瓶,其特征在于,所 述屏蔽膜的厚度范圍為0.00667mm≤d≤0.0419mm。
11、如權利要求8所述的高溫超導磁探測用杜瓦瓶,其特征在于,所 述屏蔽膜的厚度范圍為0.016mm≤d≤0.1mm。
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