[實(shí)用新型]磁控管的微波能量輸出器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200720177417.0
• 申請日: 2007-09-12
• 公開（公告）號: CN201084688Y
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳錦聰
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東格蘭仕集團(tuán)有限公司
• 主分類號: H01J23/36
• 分類號: H01J23/36
• 代理公司: 佛山市粵順知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 唐強(qiáng)熙

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種磁控管，特別是一種磁控管的微波能量輸出器。

背景技術(shù)

在磁控管的設(shè)計中，微波能量的輸出很重要，能量輸出器里傳輸線的尺寸設(shè)計至關(guān)重要，在尺寸設(shè)計合理的前提下，還要考慮材料的高頻損耗，在以前的技術(shù)要求中，人們在磁控管能量輸出端的A側(cè)管內(nèi)、外壁上設(shè)置5μm～8μm的鎳層來達(dá)到防止氧化目的。

眾所周知，交流電具有趨膚效應(yīng)，趨膚效應(yīng)間接使導(dǎo)體的電阻增大，其能量熱損耗也隨之增大。在微波等高頻段的波段中，趨膚效應(yīng)非常明顯，而鎳的電阻率又比常規(guī)導(dǎo)體銅高得多(20℃時銅的電阻率是1.678Ω.m，鎳的電阻率是6.84Ω.m)，趨膚效應(yīng)導(dǎo)致的能量熱損耗很大，溫升也隨之增高，直接影響了磁控管的輸出功率和散熱性能。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單合理、制作成本低、能量熱損耗低、溫升范圍低、輸出率高的磁控管的微波能量輸出器，以克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處。

本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是：一種磁控管的微波能量輸出器，包括在管芯能量輸出端依次連接的A側(cè)管、絕緣環(huán)和天線帽，A側(cè)管內(nèi)、外壁上設(shè)置有鍍鎳層，其結(jié)構(gòu)特征是內(nèi)壁的鍍鎳層上設(shè)置有鍍銅層，和/或外壁的鍍鎳層上設(shè)置有鍍銅層。

本實(shí)用新型中的A側(cè)管的內(nèi)、外壁上按比例分別設(shè)置鍍鎳層和鍍銅層，首先鍍鎳層1μm～3μm，接著再鍍銅層5μm～8μm，來達(dá)到防止氧化并減少高頻損耗，提高磁控管的輸出功率，最后達(dá)到提高微波爐工作效率的目的。

由于在同一頻率下，不同金屬的趨膚效應(yīng)是一致的，但銅的電阻率比鎳小得多，同時鎳的抗氧化性比銅強(qiáng)，按比例鍍鎳、銅層可以有效減少高頻損耗，提高磁控管的輸出功率，并同時達(dá)到防止氧化的目的。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例局部剖視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為A側(cè)管的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為圖2中的B處放大結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。

參見圖1-圖3，本磁控管的微波能量輸出器，包括在管芯能量輸出端依次連接的A側(cè)管1、絕緣環(huán)和天線帽，A側(cè)管內(nèi)、外壁由中心向兩邊依次設(shè)置有鍍鎳層1.1和鍍銅層1.2，其中，鍍鎳層1.1和鍍銅層1.2的厚度按比例分配：鍍鎳層1.1的厚度為1μm～3μm，鍍銅層1.2的厚度為鍍銅5μm～8μm。A側(cè)管1為中空柱狀，其頂部設(shè)置有階梯接口，底部設(shè)置有突出的環(huán)狀基臺。