[實(shí)用新型]直拉硅單晶制備用坩堝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200720173441.7 | 申請日： | 2007-09-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN201089804Y | 公開（公告）日： | 2008-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張果虎;周旗鋼;戴小林;姜艦 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京有色金屬研究總院有研半導(dǎo)體材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B15/10 | 分類號(hào)： | C30B15/10;F27B14/00 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 郭佩蘭 |
| 地址： | 10008*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 直拉硅單晶 制備 坩堝 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種直拉硅單晶制備用坩堝，它包括：坩堝上部、與下軸連接的堝底、其特征在于：所述的坩堝上部為一加強(qiáng)圈，它支撐在堝底的凸臺(tái)上，該凸臺(tái)位于石英坩堝轉(zhuǎn)彎的下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直拉硅單晶制備用坩堝，其特征在于：所述的加強(qiáng)圈靠近石英堝的一側(cè)鑲一石墨做成的內(nèi)側(cè)環(huán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種直拉硅單晶制備用坩堝，其特征在于：所述的加強(qiáng)圈靠近石英堝的一側(cè)鑲一石墨做成的內(nèi)側(cè)環(huán)，所述的內(nèi)側(cè)環(huán)下部帶凹槽，凹槽內(nèi)嵌入加強(qiáng)圈。
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