[實用新型]帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200720172237.3
• 申請日: 2007-09-29
• 公開（公告）號: CN201097251Y
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 付璟軍;齊良頡;張欣
• 申請（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: G05F3/24
• 分類號: G05F3/24
• 代理公司: 深圳創(chuàng)友專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 喻尚威

1.一種帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路，包括具有至少三個電流通路的電流鏡電路、反饋控制電路；所述電流鏡電路的第一電流通路包括串聯(lián)的第一MOS晶體管、第一雙極型晶體管以及與第一雙極型晶體管并聯(lián)的第一電阻，第二電流通路包括依次串聯(lián)的第二MOS晶體管、第三電阻、第二雙極型晶體管網(wǎng)絡(luò)以及與第三電阻、第二雙極型晶體管網(wǎng)絡(luò)并聯(lián)的第二電阻，第三電流通路包括串聯(lián)的第三MOS晶體管和第四電阻；所述反饋控制電路的輸出端與第一MOS晶體管、第二MOS晶體管和第三MOS晶體管的柵極連接，反饋控制電路的輸入端與第一MOS晶體管和第二MOS晶體管的漏極分別連接；其特征在于：

還包括第五電阻，所述第五電阻與第一電阻、第二電阻構(gòu)成T型電阻網(wǎng)絡(luò)，第五電阻、第一電阻和第二電阻的一端部連接在一起，第一電阻的另一端部與第一雙極型晶體管的輸入端連接，第二電阻的另一端部與第三電阻的輸入端連接。

2.如權(quán)利要求1所述的帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路，其特征在于：

還包括第四MOS晶體管、第五MOS晶體管、第六MOS晶體管，所述第一MOS晶體管通過第四MOS晶體管的漏源端與第一雙極型晶體管的輸入端連接，所述第二MOS晶體管通過第五MOS晶體管的漏源端與第三電阻連接，所述第三MOS晶體管通過第六MOS晶體管的漏源端與第四電阻連接；所述反饋控制電路的輸入端與第四MOS晶體管和第五MOS晶體管的漏極分別連接。

3.如權(quán)利要求2所述的帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路，其特征在于：

所述第一MOS晶體管至第六MOS晶體管為PMOS晶體管。

4.如權(quán)利要求2所述的帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路，其特征在于：

所述第一雙極型晶體管為PNP型晶體管，所述第二雙極型晶體管網(wǎng)絡(luò)由一個以上并行連接的PNP型晶體管組成。

5.如權(quán)利要求2所述的帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路，其特征在于：

所述反饋控制電路的輸入端與第一電阻的中部接點(diǎn)和第二電阻的中部接點(diǎn)分別連接。

6.如權(quán)利要求1至5中任意一項所述的帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路，其特征在于：

所述第四電阻為可調(diào)電阻。