[實(shí)用新型]一種輔助開關(guān)電源專用的開關(guān)晶體管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200720171913.5 | 申請日： | 2007-09-19 |
| 公開（公告）號： | CN201084732Y | 公開（公告）日： | 2008-07-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 顧卓;沈美林 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市晶導(dǎo)電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/72 | 分類號： | H01L29/72 |
| 代理公司： | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 鄭小粵 |
| 地址： | 518101廣東省深圳市寶*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 輔助 開關(guān)電源 專用 開關(guān) 晶體管 | ||
1.一種輔助開關(guān)電源專用的開關(guān)晶體管，其特征在于：
其芯片面積的取值范圍為1.69～7平方毫米，芯片的高阻層電阻率的取值范圍為50～80歐姆厘米。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輔助開關(guān)電源專用的開關(guān)晶體管，其特征在于：所述芯片的Bvceo取值范圍為500～850伏特。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輔助開關(guān)電源專用的開關(guān)晶體管，其特征在于：其芯片面積的取值范圍為1.69～7平方毫米，芯片的高阻層電阻率的取值范圍為65～75歐姆厘米。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的輔助開關(guān)電源專用的開關(guān)晶體管，其特征在于：所述芯片的Bvceo取值范圍為520～800伏特。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的輔助開關(guān)電源專用的開關(guān)晶體管，其特征在于：
其芯片面積的取值范圍為1.69～7平方毫米，芯片的高阻層電阻率的取值范圍為60～70歐姆厘米。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的輔助開關(guān)電源專用的開關(guān)晶體管，其特征在于：所述芯片的Bvceo取值范圍為550～780伏特。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
