[實(shí)用新型]單相、三相、以及大功率多相的盤(pán)式永磁電機(jī)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200720171118.6
• 申請(qǐng)日: 2007-11-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN201156695Y
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李鐵才;漆亞梅;楊文斌;李力輝;周兆勇;王爽;藍(lán)維隆;汪云濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳航天科技創(chuàng)新研究院
• 主分類號(hào): H02K29/00
• 分類號(hào): H02K29/00;H02K1/27;H02K3/04;H02K3/28;H02K21/24
• 代理公司: 深圳市順天達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 易釗

1、一種單相盤(pán)式永磁電機(jī)，其中在兩個(gè)盤(pán)式轉(zhuǎn)子上分別裝有多對(duì)N、S極相間的永磁體，且第一個(gè)盤(pán)式轉(zhuǎn)子上的永磁體N極正對(duì)第二個(gè)盤(pán)式轉(zhuǎn)子上的永磁體S極以產(chǎn)生軸向氣隙磁場(chǎng)；在無(wú)鐵芯盤(pán)式定子的虛槽中裝有繞組；其特征在于，

所述無(wú)鐵芯盤(pán)式定子的虛槽中裝的是單相繞組；

所述轉(zhuǎn)子的磁極數(shù)2P與所述定子的虛槽數(shù)Z相等，即Z＝2P；

在所述定子的Z＝2P個(gè)虛槽中，所述單相繞組線圈的排列次序?yàn)锳-/A-A-/A-A-/A-A-/A-A…，以“A-/A”為基礎(chǔ)在圓周內(nèi)循環(huán)Z＝2P次，且依次串聯(lián)形成所述單相繞組。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相盤(pán)式永磁電機(jī)，其特征在于，所述盤(pán)式轉(zhuǎn)子上各個(gè)永磁體與定子之間的軸向物理氣隙是0.5～2mm；所述定子的厚度是3～10mm。

3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的單相盤(pán)式永磁電機(jī)，其特征在于，

所述盤(pán)式轉(zhuǎn)子上各個(gè)永磁體的形狀為圓形，所述各個(gè)永磁體沿盤(pán)式轉(zhuǎn)子外側(cè)均布，同一轉(zhuǎn)子上的永磁體N、S極排列間隙為0～1mm工藝間隙；

所述定子上各個(gè)虛槽的形狀是與所述盤(pán)式轉(zhuǎn)子上各個(gè)永磁體對(duì)應(yīng)的圓形，并沿盤(pán)式定子外側(cè)均布；所述單相繞組Z＝2P個(gè)線圈的圓心與所述盤(pán)式轉(zhuǎn)子上各個(gè)永磁體的圓心處于相同的徑向半徑的圓上，每個(gè)線圈為簡(jiǎn)單的環(huán)型線圈并填充在所述虛槽中。

4、根據(jù)權(quán)利要求2所述的單相盤(pán)式永磁電機(jī)，其特征在于，

所述盤(pán)式轉(zhuǎn)子上各個(gè)永磁體的形狀為扇形，所述各個(gè)永磁體沿盤(pán)式轉(zhuǎn)子外側(cè)均布，同一轉(zhuǎn)子上的永磁體N、S極排列間隙為0.1～3mm工藝間隙；

所述定子的各個(gè)虛槽的形狀是與所述盤(pán)式轉(zhuǎn)子上各個(gè)永磁體相同的扇形，并沿盤(pán)式定子外側(cè)均布；所述單相繞組Z＝2P個(gè)線圈的幾何中心與盤(pán)式轉(zhuǎn)子上各個(gè)扇形永磁體的幾何中心處于相同的徑向半徑的圓上，每個(gè)線圈為扇形并填充在所述虛槽中。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相盤(pán)式永磁電機(jī)，其特征在于，每一個(gè)所述定子虛槽中的單相繞組采用雙層線圈；

第一個(gè)虛槽中，下層線圈由外圓向內(nèi)圓繞N匝，然后從內(nèi)圓繞向上層線圈的內(nèi)圓，上層線圈再由內(nèi)圓向外圓繞N匝，使得第一個(gè)虛槽中線圈的首端在下層外圓側(cè)，而尾端在上層外圓側(cè)；

第一個(gè)虛槽中繞組的尾端繞向第二個(gè)虛槽，成為第二個(gè)虛槽線圈的首端并在該虛槽的上層外圓側(cè)，上層線圈由外圓向內(nèi)圓繞N匝，然后從內(nèi)圓繞向下層線圈的內(nèi)圓，下層線圈再由內(nèi)圓向外圓繞N匝，使得第二個(gè)虛槽中線圈的首端在上層外圓側(cè)，而尾端在下層外圓側(cè)；

其余各個(gè)虛槽中的繞組連接方式依此類推，直至繞完Z＝2P個(gè)虛槽中的全部線圈，最后一個(gè)虛槽中繞組的尾端在下層外圓側(cè)，并與第一個(gè)虛槽下層外圓側(cè)的繞組首端形成所述單相繞組。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相盤(pán)式永磁電機(jī)，其特征在于，在每一個(gè)所述定子虛槽分別設(shè)有一個(gè)獨(dú)立繞制的線圈，各個(gè)虛槽的線圈依次串聯(lián)，并以第一個(gè)虛槽中線圈的首端作為整個(gè)單相繞組的首端、最后一個(gè)虛槽中線圈的尾端作為整個(gè)單相繞組的尾端，從而得到一個(gè)完整的單相繞組。

7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相盤(pán)式永磁電機(jī)，其特征在于，該單相盤(pán)式永磁電機(jī)為中空、垂直安裝形式，或者為中空、臥式安裝形式；所述定子中心的定子軸為中空結(jié)構(gòu)或局部中空結(jié)構(gòu)，所述單相繞組的引線自所述中空或局部中空的定子軸孔穿出。

8、一種三相盤(pán)式永磁電機(jī)，其特征在于，其中以權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的單相盤(pán)式永磁電機(jī)為一個(gè)單相電機(jī)單元，共有A、B、C三個(gè)單相電機(jī)單元；所述三個(gè)單相電機(jī)單元依次裝于同一根定子軸上，且三個(gè)單相電機(jī)單元的定子在空間上錯(cuò)開(kāi)120°電角度；A、B、C三個(gè)單相電機(jī)單元形成該三相盤(pán)式永磁電機(jī)的A、B、C三相繞組，且三相繞組的三相反電勢(shì)在時(shí)間上互差120°電角度；所述A、B、C三相繞組單獨(dú)使用、或聯(lián)接成Y型結(jié)構(gòu)、或者聯(lián)接成△型結(jié)構(gòu)。

9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的三相盤(pán)式永磁電機(jī)，其特征在于，其中設(shè)有兩個(gè)線性霍爾傳感器，兩者互相間隔90度電角度；或者設(shè)有三個(gè)開(kāi)關(guān)霍爾傳感器，三者互相間隔120度電角度；所述線性霍爾傳感器通過(guò)PCB板固定在定子上；所述霍爾傳感器的敏感方向朝向轉(zhuǎn)子永磁體形成的氣隙磁場(chǎng)，以傳感氣隙磁場(chǎng)的變化。