[實用新型]一種溫差發電裝置無效
| 申請號: | 200720149531.2 | 申請日: | 2007-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN201142651Y | 公開(公告)日: | 2008-10-29 |
| 發明(設計)人: | 梁志伸 | 申請(專利權)人: | 梁志伸 |
| 主分類號: | H02N11/00 | 分類號: | H02N11/00;H01L35/32 |
| 代理公司: | 北京同匯友專利事務所 | 代理人: | 高云瑞;楊宗潤 |
| 地址: | 102600*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 溫差 發電 裝置 | ||
1、一種溫差發電裝置,其特征在于:具有能將液體加熱至高溫(T1)并對外輸出和能將液體冷卻至低溫(T2)并對外輸的水源熱泵,以及半導體PN節組件——發電芯;
發電芯的具體結構為,由規則連接組合在一起的半導體PN節并經絕緣封裝后組成,同時引出輸出直流電源的正、負極,各半導體PN節中的P與N型半導體之間具有間距S;發電芯的兩個側面上分別裝有一個緊貼在各側面上并與各側面進行有效熱傳導的高溫水槽和低溫水槽;水源熱泵輸出的高溫(T1)的液體經高溫接管,通過高溫水槽循環,水源熱泵輸出的低溫(T2)的液體經低溫接管,通過低溫水槽循環。
2、根據權利要求1所述的一種溫差發電裝置,其特征在于:發電芯(7)為半導體PN節串聯增大輸出電壓式結構,P、N型半導體依序間隔排列,各半導體PN節依序相互串聯在一起,各半導體PN節中的P與N型半導體之間的間距(S)為0.5~1.5mm,各半導體PN節中的節(9)以導電性能高的錫或銀焊接而成;發電芯(7)的左側面上裝有高溫水槽(3),右側面上裝有低溫水槽(4);由位于最頂部的半導體PN節的P型半導體引出輸出直流電源的負極,由位于最底部的半導體PN節的N型半導體引出輸出直流電源的正極。
3、根據權利要求1所述的一種溫差發電裝置,其特征在于:發電芯(7)為半導體PN節串聯兼并聯增大輸出電流式結構,P、N型半導體依序間隔排列,同一列中的各半導體PN節依序相互串聯在一起組成一個單元,各單元相互并聯在一起,各半導體PN節中的P與N型半導體之間的間距(S)為0.5~1.5mm,各半導體PN節中的節(9)以導電性能高的錫或銀焊接而成;發電芯(7)的左側面上裝有高溫水槽(3),右側面上裝有低溫水槽(4),由位于最頂部的半導體PN節的P型半導體引出輸出直流電源的負極,由位于最底部的半導體PN節的N型半導體引出輸出直流電源的正極。
4、根據權利要求1、2或3所述的一種溫差發電裝置,其特征在于:各半導體PN節中的P及N型半導體,均分別呈一分為二式的結構,即P型半導體由兩塊位于同一平面上并有間距為(a)的小塊P型半導體組成,間距(a)上具有低電阻的過橋導線或過橋導板15將兩小塊P型半導體連接在一起;N型半導體由兩塊位于同一平面上并有間距為(b)的小塊N型半導體組成,間距(b)上具有低電阻的跨橋導線或跨橋導板16將兩小塊N型半導體連接在一起;所述間距(a)和(b)均為5~15cm。
5、根據權利要求1、2或3所述的一種溫差發電裝置,其特征在于:高溫(T1)為60~100℃,低溫(T2)為1~3℃。
6、根據權利要求4所述的一種溫差發電裝置,其特征在于:高溫(T1)為60~100℃,低溫(T2)-為1~3℃。
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