[實用新型]用于校正外延基座位置的工具

無效

• 申請號: 200720144102.6
• 申請日: 2007-07-11
• 公開（公告）號: CN201063334Y
• 公開（公告）日: 2008-05-21
• 發明（設計）人: 徐偉中;王劍敏
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/205;H01L21/683;C30B25/00;C30B25/12
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 王關根

技術領域

本實用新型涉及一種用于校正半導體設備的工具，具體涉及一種用于校正外延基座位置的工具。

背景技術

硅外延在CMOS、BiCMOS和射頻集成電路中有著廣泛的應用。由于這些集成電路中半導體器件制備在硅外延層中，所以其器件性能主要取決于外延層的特性，如電阻率、厚度等。

在外延過程中，襯底硅片被放置在基座上并被加熱到一定的溫度，當反應氣體流經襯底表面時發生反應，從而硅沉積到襯底上，如圖1所示。襯底的溫度分布和氣流狀態決定了外延層的厚度以及電阻率的大小和均勻性，而外延層的厚度和電阻率特性對襯底的高低和水平情況非常敏感，襯底有較小的位置變動對這些外延層特性會產生很大的影響；由于襯底是直接放置在基座上，襯底的位置狀態取決于基座相對于預熱環的高低和水平情況，因此將基座安裝到正確的位置是獲得最佳外延工藝條件的前提。另外，集成電路制造很注重設備在維護前后設備和工藝狀態的一致性，從而保證整個半導體制程的穩定性；而外延是集成電路制造中的關鍵工藝，所以外延設備在維護后需要盡可能恢復到維護前的狀態。

目前所使用的校正基座與預熱環之間相對位置的方法如下：

1、采用目測的方法，校正外延基座的中心位置，使得基座與兩側預熱環的左右間距相等；

2、將凈化紙放置在外延的預熱環上，然后目測基座與預熱環之間的上下距離在1mm左右，從而確定外延基座的上下位置。

外延基座的中心和上下位置的精確度非常重要，外延基座位置是否準確會直接影響到外延工藝的膜厚淀積速率和電阻率的均勻性。而現有技術所使用目測的方法受操作者的主觀影響較大，校正后外延基座的位置差異很大，很難準確和重復地確定基座與預熱環之間的相對位置。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是提供一種用于校正外延基座位置的工具，它可以準確并方便快捷地校正基座與預熱環之間的相對位置。

為解決上述技術問題，本實用新型用于校正外延基座位置的工具的技術解決方案為：

包括由特氟龍材料制成的T形工具，T形工具頂部為平面，兩翼之間存在高度差。

本實用新型可以達到的技術效果是：

結構簡單，應用簡便而且不受操作者主觀判斷的影響，使用本實用新型校正后的基座與預熱環之間的高度相對位置以及基座與預熱環的間隙重復性好；調整方法簡單快捷，可以縮短設備維護時間，可保證外延設備在維護后工藝正常。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明：

圖1是外延設備的示意圖；

圖2本實用新型用于校正外延基座位置的工具的示意圖；

圖3是本實用新型的使用狀態示意圖。

圖中，1反應腔，2反應氣體進口，3襯底硅片，4排氣口，5預熱環，6基座，7轉動機構，8T形工具。

具體實施方式

如圖2所示，本實用新型包括由特氟龍材料制成的T形工具，T形工具頂部為平面，T形工具的兩翼之間存在高度差A，高度差A為基座6與預熱環5之間的垂直距離，本實施例中，高度差A在0.5～1.5mm之間。T形工具的尾部寬度B為基座6與預熱環5之間的水平間距，本實施例中，尾部寬度B在2～5mm之間。

校正基座6與預熱環5之間的位置時，將T形工具的尾部插入基座6與預熱環5之間，基座6與預熱環5之間高度方向的相對位置由T形工具兩翼之間的高度差A確定，基座6與預熱環5之間的間隙由T型工具尾部寬度B確定，如圖3所示。為了使操作更加便捷，可以在T形工具兩側分別標明靠近基座端或靠近預熱環端。

使用該T形工具校正基座6與預熱環5之間的相對位置有如下優點：

1、校正后的位置精度高，受人為影響小，重復性好；

2、本實用新型由特氟龍材料制成，沒有金屬污染，不會變形或收縮；

3、使用本實用新型進行校正，簡單快捷，可以縮短設備的維護時間。