[實(shí)用新型]電路基板的測(cè)量裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200720142225.6 | 申請(qǐng)日: | 2007-04-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN201069462Y | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周德昌 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 系新科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01R31/00 | 分類(lèi)號(hào): | G01R31/00;G01R1/00;G01R19/00;G01R27/02 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 梁揮;祁建國(guó) |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 路基 測(cè)量 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種電路基板的測(cè)量裝置,特別是關(guān)于一種可測(cè)量高密度電路基板的線路或?qū)щ娯灴椎奈⑿∽柚档臏y(cè)量裝置。
背景技術(shù)
由于科技的進(jìn)步使得電子產(chǎn)品能夠越來(lái)越小,而功能卻越來(lái)越多,而電子產(chǎn)品需使用電路基板來(lái)承載電子組件及其連接線路,目前最高密度的電路基板莫過(guò)于使用在中央處理器(CPU)的球門(mén)陣列(Ball?Grid?Array,BGA)封裝技術(shù)的電路基板,該種BGA封裝技術(shù)的好處是在同樣尺寸面積下的電路基板,可連接的引腳數(shù)高達(dá)300支接腳以上的高密度封裝IC。
又由于目前電子產(chǎn)品的工作電壓相當(dāng)?shù)牡?,如新式CPU的工作電壓約在1.3V左右,在如此低電壓的高密度電路基板上,其線路或?qū)щ娯灴椎奈⒆柚荡笮【头浅V匾?,若線路阻值過(guò)大,或?qū)щ娯灴装l(fā)生微破孔,都會(huì)影響電子組件的正常動(dòng)作,因此電路板裸板的微阻值測(cè)量是目前各IC廠商在封裝制程前或電路基板廠商出貨前皆必須要測(cè)量的。
電路基板有單面式、雙面式或多層式,且電路基板有分為硬式基板或軟式基板兩種,而其制程又可分印刷式及壓合式兩種,不論那一種電路基板其上皆會(huì)設(shè)有導(dǎo)電線路以連接電子組件,而在雙面式或多層式電路基板上會(huì)設(shè)導(dǎo)電貫孔以連接的每一層的導(dǎo)電線路,為降低阻值會(huì)在其導(dǎo)電線路或?qū)щ娯灴咨襄兘?、鍍銀或鍍銅,如銀膠貫孔,目前針對(duì)電路基板導(dǎo)電線路或?qū)щ娯灴?以下簡(jiǎn)稱(chēng)待測(cè)物)的微小阻值測(cè)量有二種方式,第一種是二線式測(cè)量法,第二種是四線式測(cè)量法。
首先請(qǐng)先參閱圖1所示,為二線式測(cè)量的電路連接示意圖,主要利用二支探針電氣接觸在待測(cè)物(DUT)之兩端,再施加電壓V以測(cè)量電流值A(chǔ),即可測(cè)量該待測(cè)物的阻值RDUT=V/A,然而在該種二線式測(cè)量法中,若是探針或測(cè)量?jī)x器導(dǎo)線的阻值(r1、r2)與該待測(cè)物阻值(RDUT)越接近時(shí),其實(shí)際測(cè)量阻值(RMEAS)的誤差會(huì)越大,亦即RMEASV/A=r1+r2+RDUT,故而僅能測(cè)量歐姆級(jí)(Ω)的電路基板,亦即無(wú)法測(cè)量鍍金、鍍銀或鍍銅,如銀膠貫孔的電路基板。
再參閱圖2所示,為四線式測(cè)量的電路連接示意圖,該四線式測(cè)量是為測(cè)量毫歐姆級(jí)(mΩ)的電路基板,主要是利用四支探針?lè)謩e電氣接觸在待測(cè)物(DUT)的兩端(每端各二支),該四支探針可將其定義為S+、M+、S-及M-各探針及導(dǎo)線的阻值為(r1、r2、rm1及rm2),此時(shí)分別在M+及M-兩端施加電壓V,而在S+及S-兩端測(cè)量電流值A(chǔ),由于V的內(nèi)阻為高阻抗,故流經(jīng)該電壓V的電流Im+及Im-0,所以測(cè)量電壓(VMEAS)待測(cè)物電壓(VDUT),所以實(shí)際測(cè)量阻值(RMEAS)=V/A=待測(cè)物阻值(RDUT),而不會(huì)受到r1+r2及rm1+rm2的影響。
然而該種四線式測(cè)量必需在每一待測(cè)物的兩端各接觸二支探針,共四支探針,而某些高密度電路基板上的線路或?qū)щ娯灴紫喈?dāng)細(xì)小(如BGA的導(dǎo)電貫孔約在0.50mm),而最細(xì)的探針約為0.7mm,根本無(wú)法采用四線式測(cè)量法,又需考慮基板偏移及兩探針的間距,故測(cè)點(diǎn)邊緣尚需留0.5mm至0.7mm為宜,否則會(huì)因電路基板的偏移而伸入貫孔中,一不小心即會(huì)有折斷探針,況且該種最細(xì)探針的單價(jià)相當(dāng)昂貴,若測(cè)量點(diǎn)多時(shí)根本不敷成本,更別提使用鍍金或鍍銀的探針了。
上述不論是二線式或四線式測(cè)量,現(xiàn)有探針式的測(cè)量方式并不能測(cè)量軟式電路基板,且在使用探針測(cè)量電路基板之前,必須先針對(duì)待測(cè)電路基板制作測(cè)量治具,并需規(guī)劃設(shè)計(jì)該測(cè)量治具每一探針的精確位置,才能搭配測(cè)試儀器來(lái)測(cè)量,故通常會(huì)針對(duì)各種不同線路的電路基板制作不同的測(cè)量治具,而每一測(cè)量治具上皆布滿數(shù)百甚至數(shù)千支的探針,亦因此廠商在測(cè)量電路基板上的最大成本即在于探針,以及測(cè)量治具的制作。
于是,本案實(shí)用新型人即為解決上述現(xiàn)有測(cè)量高密度電路基板所具有不便與缺失,乃特潛心研究并配合學(xué)理的運(yùn)用,提出一種不使用探針及測(cè)量治具的電路基板測(cè)量裝置,可達(dá)成使用四線式測(cè)量法,測(cè)量?jī)擅媸交蚨鄬邮诫娐坊宓淖柚档哪康摹?/p>
實(shí)用新型內(nèi)容
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于系新科技股份有限公司,未經(jīng)系新科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200720142225.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 上一篇:具有飛刀攪拌裝置的臥式攪拌機(jī)
- 下一篇:防噪音枕頭
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
- 測(cè)量設(shè)備、測(cè)量系統(tǒng)及測(cè)量方法
- 測(cè)量裝置、測(cè)量配件和測(cè)量方法
- 測(cè)量尺的測(cè)量組件及測(cè)量尺
- 測(cè)量輔助裝置、測(cè)量裝置和測(cè)量系統(tǒng)
- 測(cè)量觸頭、測(cè)量組件和測(cè)量裝置
- 測(cè)量觸頭、測(cè)量組件和測(cè)量裝置
- 測(cè)量容器、測(cè)量系統(tǒng)及測(cè)量方法
- 測(cè)量裝置、測(cè)量系統(tǒng)、測(cè)量程序以及測(cè)量方法
- 測(cè)量裝置、測(cè)量系統(tǒng)及測(cè)量方法
- 測(cè)量電路、測(cè)量方法及測(cè)量設(shè)備





