[實用新型]一種照明用LED芯片的結構無效
| 申請號： | 200720131927.4 | 申請日： | 2007-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN201134439Y | 公開（公告）日： | 2008-10-15 |
| 發明（設計）人： | 黃振春;陳嶺;史智青;洪從勝;傅凡 | 申請（專利權）人： | 江蘇奧雷光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 212009江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 照明 led 芯片 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種照明用LED芯片的結構，包括垂直通孔結構的LED芯片，該芯片由支持襯底(1)和反射/歐姆/鍵合層(2)鍵合在一起，在反射/歐姆/鍵合層(2)上疊加外延層(11)，外延層(11)由最上層的第一類限制層(5)、中間的活化層(4)和下層的第二類限制層(3)組成，圖形化電極(9)形成在第一類限制層(5)面上，半通孔/金屬填充塞(10)上端連接圖形化電極(9)，下端連接支持襯底(1)，其特征是：在外延層(11)四周垂直設置一圈深至反射/歐姆/鍵合層(2)表面的凹槽(6)，在外延層(11)的表面上和凹槽(6)內敷有一層熒光粉和樹脂的混合層(8)，在混合層(8)的上表面粘合一層底面大小和外延層(11)上表面大小一樣的微透鏡陣列層(7)，該微透鏡陣列層(7)的折射率為1.5～1.55。
2.根據權利要求1所述的一種照明用LED芯片的結構，其特征是：凹槽(6)的寬度為W、深度為D，W≥D/2。
3.根據權利要求1所述的一種照明用LED芯片的結構，其特征是：混合層(8)的厚度為50～500微米。
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