[實用新型]單級功率因子校正電路

有效

• 申請號: 200720126892.5
• 申請日: 2007-10-16
• 公開（公告）號: CN201091060Y
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發明（設計）人: 古忠平;夏存孝
• 申請（專利權）人: 高效電子股份有限公司
• 主分類號: H02M1/42
• 分類號: H02M1/42
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 湯保平

1.一種單級功率因子校正電路，其特征在于，其具有：

一第一整流器，其一端耦接至一中性輸入端；

一第二整流器，其一端耦接至一火線輸入端，另一端則耦接至該第一整流器的第二端；

一全橋式整流器，其具有一第三整流器、第四整流器、第五整流器及第六整流器，其中，該第三整流器的正極端及第四整流器的負極端耦接至該火線輸入端，該第五整流器的正極端及第六整流器的負極端耦接至該中性輸入端；

一電容器，其一端耦接至該第二整流器的第二端，另一端則耦接至該第四整流器及第六整流器的正極端；

一變壓器，其具有一第一初級線圈、一第二初級線圈及一第一次級線圈，其中該第一初級線圈的一端耦接至該電容器，該第二初級線圈的一端則耦接至該第三整流器及該第五整流器的負極端；以及

一開關，是為一三端元件，其第一端耦接至該第一初級線圈及該第二初級線圈的另一端，第二端耦接至一控制信號，第三端則耦接至該電容器的另一端，其可接受該控制信號的控制而開啟或關閉。

2.如權利要求1所述的單級功率因子校正電路，其特征在于，其中該開關為一電力開關，且該電力開關為N通道金屬氧化半導體場效應晶體管N通道接面場效應晶體管、P通道金屬氧化半導體場效應晶體管或P通道接面場效應晶體管，其中該第一端是該金屬氧化半導體場效應晶體管的漏極，該第二端是該金屬氧化半導體場效應晶體管的柵極，該第三端是該金屬氧化半導體場效應晶體管的源極。

3.如權利要求1所述的單級功率因子校正電路，其特征在于，其中該第一整流器及第二整流器為一整流二極管，該變壓器是為一返馳變壓器。

4.如權利要求1所述的單級功率因子校正電路，其特征在于，其中該控制信號是由一外接的功率因子校正控制器所輸出，其可于正半周時，先使該開關導通，讓電流流經該第二整流器及第六整流器，再使該開關關閉，讓電流流經該第三整流器及第六整流器；于負半周時，先使該開關導通，讓電流流經該第一整流器及第四整流器，再使該開關關閉，讓電流流經該第五整流器及第四整流器。

5.如權利要求1所述的單級功率因子校正電路，其特征在于，其中該第一初級線圈具有N2圈數，該第二初級線圈則具有N1圈數，使該第三整流器及第五整流器的負極端具有KV_B的電壓，其中，K＝N1/N2，V_B是為該電容器兩端的電壓。

6.如權利要求1所述的單級功率因子校正電路，其特征在于，其進一步具有一電感器，其是串接于該火線輸入端及該第二整流器、第三整流器的正極端間，可與該電容器同時供電，以使電流的變化較為平緩。

7.一種單級功率因子校正電路，其特征在于，其具有：

一第一整流器，其一端耦接至一火線輸入端；

一第二整流器，其一端耦接至一中性輸入端，另一端則耦接至該第一整流器的第二端；

一全橋式整流器，其具有一第三整流器、第四整流器、第五整流器及第六整流器，其中，該第三整流器的正極端及第四整流器的負極端耦接至該火線輸入端，該第五整流器的正極端及第六整流器的負極端耦接至該中性輸入端；

一電容器，其一端耦接至該第三整流器及第五整流器的負極端，另一端則耦接至該第四整流器及第六整流器的正極端；

一變壓器，其具有一第一初級線圈、一第二初級線圈及一第一次級線圈，其中該第一初級線圈的一端耦接至該電容器，該第二初級線圈的一端則耦接至該第一整流器及該第二整流器的負極端；以及

一開關，是為一三端元件，其第一端耦接至該第一初級線圈及該第二初級線圈的另一端，第二端耦接至一控制信號，第三端則耦接至該電容器的另一端，其可接受該控制信號的控制而開啟或關閉。

8.如權利要求7所述的單級功率因子校正電路，其特征在于，其中該開關為一電力開關，該電力開關可為N通道金屬氧化半導體場效應晶體管N通道接面場效應晶體管、P通道金屬氧化半導體場效應晶體管或P通道接面場效應晶體管，其中該第一端是該金屬氧化半導體場效應晶體管的漏極，該第二端是該金屬氧化半導體場效應晶體管的柵極，該第三端是該金屬氧化半導體場效應晶體管的源極。

9.如權利要求7所述的單級功率因子校正電路，其特征在于，其中該第一整流器及第二整流器為一整流二極管，該變壓器是為一返馳變壓器。