[實(shí)用新型]半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200720125506.0
• 申請(qǐng)日: 2007-08-17
• 公開（公告）號(hào): CN201153117Y
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉相賢;簡(jiǎn)文隆;鄭啟民;蔡明侖;江宗憲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 力鼎精密股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00;H01L21/02;H01L21/67;H01L21/311;H01L21/3105
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 陳肖梅;謝麗娜

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)，特別是有關(guān)于一種借助蝕刻制程室內(nèi)多個(gè)晶圓載盤的配置，以提升濺射清潔效率的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)。

背景技術(shù)

一般而言，半導(dǎo)體制程如經(jīng)過蝕刻制程以產(chǎn)生一介層洞(via?hole)或一接觸洞(contact?hole)后，在洞內(nèi)常遺留一些聚合物殘留物，此類殘留物可能影響后續(xù)的沉積制程的品質(zhì)，必須通過清潔加以去除。常用的清潔方法有電漿清洗(plasma?clean)與氬氣濺射清潔(Argon?sputterclean)兩種，電漿清洗的原理為利用噴出的電漿，與洞內(nèi)的殘留物接觸后產(chǎn)生化學(xué)或物理變化，以清潔洞內(nèi)表面，電漿清洗的特色在于速度快但清潔度較差。氬氣濺射清潔的原理為利用游離氬氣粒子，對(duì)晶圓進(jìn)行濺射轟擊，以移除殘留物，其特色在于清潔度好但速度較慢。業(yè)界基于生產(chǎn)效率的需求，多采用電漿清洗的方式。然而，因電漿清洗的清潔度較差，后續(xù)的沉積制程的良率會(huì)受到電漿清洗的清潔度較差的影響而嚴(yán)重降低，故如何兼顧清潔制程的品質(zhì)與速度成為半導(dǎo)體制程的重要關(guān)鍵之一。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足與缺陷，提出一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)，特別是一種借助蝕刻制程室內(nèi)多個(gè)晶圓載盤的配置，以提升濺射清潔效率的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)。

為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)，其包括：一蝕刻制程室，具有多個(gè)晶圓載盤與一濺射清潔裝置；多個(gè)沉積制程室；以及一移轉(zhuǎn)室，設(shè)置于該蝕刻制程室與所述的沉積制程室之間，并用于移轉(zhuǎn)該蝕刻制程室與所述的沉積制程室內(nèi)的多個(gè)晶圓。

本實(shí)用新型具有以下有益技術(shù)效果：本實(shí)用新型的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)通過蝕刻制程室內(nèi)多個(gè)晶圓載盤的配置，達(dá)到提升濺射清潔效率的功能，以提高半導(dǎo)體制程效率。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)示意圖。

圖中符號(hào)說明

10半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)

11蝕刻制程室

111多個(gè)晶圓載盤

12多個(gè)沉積制程室

13移轉(zhuǎn)室

具體實(shí)施方式

以下以具體的實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型揭示的各形態(tài)內(nèi)容加以詳細(xì)說明。

參照?qǐng)D1，圖1為根據(jù)本實(shí)用新型所提供的一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)10的示意圖，其中包括一蝕刻制程室11、多個(gè)沉積制程室12、以及一移轉(zhuǎn)室13。蝕刻制程室11內(nèi)設(shè)置有多個(gè)晶圓載盤111與一濺射清潔裝置(未顯示)。移轉(zhuǎn)室13設(shè)置于蝕刻制程室11與多個(gè)沉積制程室12之間，亦即，移轉(zhuǎn)室13連接蝕刻制程室11與多個(gè)沉積制程室12，用以移轉(zhuǎn)蝕刻制程室11與多個(gè)沉積制程室12內(nèi)的多個(gè)晶圓(未顯示)。舉例而言，移轉(zhuǎn)室13根據(jù)一移轉(zhuǎn)路線以移轉(zhuǎn)蝕刻制程室11與多個(gè)沉積制程室12內(nèi)的多個(gè)晶圓，其中，移轉(zhuǎn)路線可為一圓周，而移轉(zhuǎn)室13設(shè)于此圓周的中心位置，蝕刻制程室11與多個(gè)沉積制程室12則設(shè)于此圓周的外緣位置。

其中，在蝕刻制程后，多個(gè)晶圓上經(jīng)常會(huì)產(chǎn)生接觸洞(contact?hole，未顯示)或介層洞(via?hole，未顯示)等結(jié)構(gòu)，以便于后續(xù)半導(dǎo)體制程中線路的連接。若舍棄電漿清洗方式而采用濺射清潔方式，其特色在于清潔度好但速度較慢，濺射清潔裝置具有提供氬氣濺擊粒子功能的構(gòu)造，對(duì)于接觸洞與介層洞此氬氣濺擊粒子具有高品質(zhì)的清潔效果。然而，氬氣濺射清潔的速度較慢，故需改善其清潔速度慢的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供的方式在蝕刻制程室11中設(shè)置多個(gè)晶圓載盤111，以同時(shí)對(duì)多個(gè)晶圓進(jìn)行氬氣濺射清潔，以提高制程效率。其中，晶圓載盤111的數(shù)目可視需要而定，例如根據(jù)蝕刻制程室11的大小而定，其數(shù)目較佳為至少兩個(gè)或以上，以蝕刻制程室11的大小為限，且只要能達(dá)到提高制程清潔效率的目的即可。進(jìn)一步，多個(gè)沉積制程室12的數(shù)量須對(duì)應(yīng)于多個(gè)晶圓載盤111的數(shù)量(例如圖1中顯示三個(gè)晶圓載盤111，而沉積制程室12的數(shù)量亦為三個(gè))，才能達(dá)到提高整體制程效率的功效。

其中，多個(gè)沉積制程室可為物理氣相沉積室或化學(xué)氣相沉積室；此外亦可能為進(jìn)行金凸塊或鉛錫凸塊封裝的制程室，而所述濺射清潔裝置可在晶圓接受金凸塊或鉛錫凸塊封裝前，用于清潔晶圓表面，使凸塊附著更強(qiáng)。

雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，例如變更晶圓載盤或變更沉積制程室的數(shù)量。因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書的范圍所界定者為準(zhǔn)。