[實(shí)用新型]一種上電延時電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200720120453.3
• 申請日: 2007-05-31
• 公開（公告）號: CN201044435Y
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 聶湖清
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳創(chuàng)維－RGB電子有限公司
• 主分類號: H03K17/284
• 分類號: H03K17/284
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 張全文

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于供電電路領(lǐng)域，尤其涉及一種上電延時電路。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有技術(shù)的上電延時電路中一般采用具有上電延時功能的芯片，利用芯片的I/O口來控制MOS管(絕緣型場效應(yīng)管)的導(dǎo)通，從而達(dá)到上電延時的目的。

但，采用芯片實(shí)現(xiàn)上電延時時，不僅增加成本，而且還占用系統(tǒng)資源。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種上電延時電路，旨在解決現(xiàn)有的上電延時電路成本高、占用系統(tǒng)資源的問題。

本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種上電延時電路，包括MOS管，MOS管的第一腳與供電電壓輸入端連接，第二腳與輸出端連接，所述電路還包括：

熱敏電阻，與供電電壓輸入端及輸出端連接；

分壓電阻R(2)、R(4)，與所述熱敏電阻與輸出端的連接點(diǎn)連接，對其連接點(diǎn)的電壓進(jìn)行分壓；

三極管，b極與所述分壓電阻R(2)、R(4)的連接點(diǎn)連接，e極接地；

以及

分壓電阻R(5)、R(6)，與所述三極管的c極連接，將進(jìn)行分壓后的電壓傳輸給所述MOS管。

本實(shí)用新型的上電延時電路采用熱敏電阻、三極管及分壓電阻，在分壓電阻分壓后的電壓達(dá)到三極管的導(dǎo)通電壓，并MOS管的電壓達(dá)到導(dǎo)通電壓時使輸入電壓經(jīng)MOS管傳輸?shù)捷敵龆耍瑥亩糜布?shí)現(xiàn)了上電延時，解決現(xiàn)有的上電延時電路成本高、占用系統(tǒng)的問題。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型提供的上電延時電路的電路圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

本實(shí)用新型的上電延時電路采用熱敏電阻、三極管及分壓電阻，通過熱敏電阻阻值變化特性控制三極管的導(dǎo)通，并在與分壓電阻連接的MOS管的第二腳的電壓達(dá)到導(dǎo)通電壓時MOS管導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)上電延時。

如圖1所示，本實(shí)用新型的上電延時電路包括熱敏電阻R1、分壓電阻R2、R4、三極管Q2、分壓電阻R5、R6及MOS管Q1。

上電延時電路上電后，起初與供電電壓輸入端連接的熱敏電阻R1的另一端的電壓(即輸出端(to?IC?power?pin)的輸出電壓)U1＝VCC-I*R1。熱敏電阻R1因?yàn)橛须娏魍ㄟ^，進(jìn)行發(fā)熱，從而阻值降低，U1緩慢上升。電阻R2和R4與熱敏電阻R1并聯(lián)連接，對電壓U1進(jìn)行分壓。因?yàn)閁1緩慢上升，電阻R2與R4的連接點(diǎn)的電壓U4也緩慢上升。

電壓U4可以用以下公式表示：

U4＝U1*R4/(R2+R4)

電阻R2與R4的連接點(diǎn)與三極管Q2的b極連接，三極管Q2的c極經(jīng)過電阻R5分別與電阻R6及MOS管Q1的柵極連接。電阻R6與電阻R1的電壓輸入端連接，MOS管Q1分別與電阻R1的兩端連接。電阻R6與三極管Q2的c極的連接端的電壓為U2。因此，當(dāng)電壓U4大于等于Q2的導(dǎo)通電壓時三極管Q2導(dǎo)通，電阻R5及R6對VCC分壓，此時U2＝VCC*R5/(R5+R6)。在選取合適的R5、R6阻值使VCC-U2大于等于MOS管Q1的導(dǎo)通電壓時，MOS管Q1的第一腳與第三腳導(dǎo)通，電流從MOS管Q1的第一腳流向第三腳，此時U1＝VCC。

在具體實(shí)施當(dāng)中，供電電壓輸入端VCC與電阻R1之間連接有保險管F1，保護(hù)上電延時電路。另，三極管Q2的b極與電阻R1、R4連接點(diǎn)之間連接有穩(wěn)壓二極管D1及電阻R3，保護(hù)三極管。此外，三極管Q2的e極與電阻R6、MOS管Q1的連接點(diǎn)之間連接有電容C2，電阻R4的兩端并聯(lián)連接有電容C1進(jìn)行整流濾波。

本實(shí)用新型的上電延時電路采用熱敏電阻、三極管及分壓電阻，在分壓電阻分壓后的電壓達(dá)到三極管的導(dǎo)通電壓，并MOS管的電壓達(dá)到導(dǎo)通電壓時使輸入電壓經(jīng)MOS管傳輸?shù)捷敵龆耍瑥亩糜布?shí)現(xiàn)了上電延時，解決現(xiàn)有的上電延時電路成本高、占用系統(tǒng)資源的問題。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。