[實用新型]為破壞晶圓表面電路的去除設備

無效

• 申請號: 200720119928.7
• 申請日: 2007-04-29
• 公開（公告）號: CN201040358Y
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發明（設計）人: 廖桂敏
• 申請（專利權）人: 廖桂敏
• 主分類號: B24C3/12
• 分類號: B24C3/12;B24C1/04
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所
• 代理人: 張明

【技術領域】

本實用新型涉及一種破壞晶圓表面電路布局的技術領域，具體而言系指一種僅破壞電路、且不傷及硅基板的去除設備。

【背景技術】

按，由于硅基板(Silicon?Substrate)具有極佳的絕緣性與應變性，因此其被廣泛的應用于半導體與太陽能光電之制程上，做為承載用之基板，而受到能源的短缺，使硅基板的價格日益高漲，由于一般用于半導體制程的硅基板，為了符合其制程設備及多道重復濺鍍、蝕刻的制程，其外緣被要求為圓盤狀，外徑需為8寸或12寸，且厚度需達725um+/-25um，而用于太陽能光電制程的硅基板的外緣形狀與尺寸規格較不受限制，且其所需的厚度僅約300um即可，因此太陽能光電廠為了降低成本，通常系收購半導體廠在制程中所產生的不良品或破片，而在去除硅基板表面金屬層后，再重新加工用于太陽能板上；

然現有半導體廠在考慮不良品之晶圓表面上，已形成完整的電路布局(Pattern)，為了避免泄露客戶的Know-How與知識產權，因此一般通常會先將不良品予以打碎，再回爐重新磊晶形成硅基板，如此對半導體廠出售破碎晶圓的價格極低，且對太陽能廠而言，其更需要重新磊晶，而增加處理的時間、流程與成本；

因此如能將半導體廠所產生的不良晶圓完整的出售，則不僅極大提高其售價、增加半導體廠的收入，且也可以減少后續處理的程序與不便，進而提升其經濟效益，然欲完整出售不良晶圓前，需先克服如何去除晶圓表面電路的問題，且在去除電路的過程中不能傷及硅基板，以降低再生過程中的破片率，然現有具體公開使用之設備及數據中，從未教示一種可滿足前述去除晶圓電路要求的方法，因此如能解決此一問題，則可提升處理不良晶圓的價值。

【實用新型內容】

本實用新型之主要目的在于提供一種為破壞晶圓表面電路的去除設備，可于半導體廠直接去除晶圓表面之電路，防止泄露客戶機密，并可提高硅基板回收的經濟價值。

本實用新型是這樣實現的，為破壞晶圓表面電路的去除設備，包含有：

一去除裝置，其系于內部上段設有復數噴砂單元，且各噴砂單元呈水平設備，使其砂粒呈水平狀噴出的，去除裝置內部下段設有一抽風單元，該抽風單元可將噴砂單元噴出的砂粒向下吸動，使砂粒改變噴射方向；

一輸送裝置，其設于去除裝置內，供將晶圓加載與移出去除裝置內部，且輸送裝置穿設于去除裝置的噴砂單元與抽風單元之間；

一入料裝置，其設于輸送裝置的入料端；

一出料裝置，其設于輸送裝置的出料端。

該去除設備組裝于可移式載具上。

該去除裝置上設有一用以吸除去除裝置內砂塵的集塵單元。

另外，本實用新型結構也可以這樣實現，為破壞晶圓表面電路的去除設備，包含有：一去除裝置，其于內部上段設有復數噴砂單元，且各噴砂單元系呈水平設備，使其砂粒系呈水平狀噴出，又去除裝置內部下段設有一抽風單元，該抽風單元可將噴砂單元噴出的砂粒向下吸動，使砂粒改變噴射方向，而晶圓可承載于噴砂單元與抽風單元間。

該去除裝置上設有一用以吸除去除裝置內砂塵的集塵單元。

本實用新型前述技術手段的具體展現，讓本實用新型可利用間接噴砂之特殊設計，使其可直接于晶圓廠進行破壞晶圓表面電路布局的工作，以防止晶圓電路布局外泄，同時可避免傷及硅基板，讓晶圓硅基板可再生做為量測晶圓或太陽能板之硅基板，而能增加其附加價值，進而提升其回收的經濟效益。

【附圖說明】

圖1是本實用新型去除設備之示意圖。

圖2是本實用新型去除設備之去除單元示意圖。

圖3是本實用新型去除晶圓表面電路之動作示意圖。

圖4是本實用新型去除晶圓表面電路后之示意圖。

主要組件符號說明：

10去除裝置????11噴砂單元

12抽風單元????15集塵單元

20輸送裝置????30入料裝置

40出料裝置????50晶圓

51硅基板??????52薄膜

55金屬電路????56去電路層

【具體實施方式】

本實用新型系一種為破壞晶圓表面電路的去除設備，請參看圖1所揭示，其系本實用新型之結構圖，本實用新型系可供組裝于可移式載具上，如一般貨柜車或推車等，供于各半導體廠間移動回收晶圓，而本實用新型去除設備主要包含有一去除裝置10、一輸送裝置20、一入料裝置30及一出料裝置40；其中：