[實用新型]一種利用多晶硅構(gòu)建ESD泄放通道的防護器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200720106945.7
• 申請日: 2007-03-05
• 公開（公告）號: CN201041805Y
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔強;韓雁;董樹榮;霍明旭;杜宇禪;黃大海;曾才賦;洪慧;陳茗;杜曉陽;斯瑞珺;張吉皓
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L23/60
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司
• 代理人: 張法高

1.一種利用多晶硅構(gòu)建ESD泄放通道的防護器件，包括P型襯底(30)，P型襯底(30)上為阱區(qū)，阱區(qū)包括N阱(31)和P阱(39)，其特征在于N阱(31)和P阱(39)上均設(shè)有兩個注入?yún)^(qū)，分別是N+注入?yún)^(qū)(32a)和P+注入?yún)^(qū)(34)；其中N阱(31)的N+注入?yún)^(qū)(32a)設(shè)置在遠離P阱(39)的一端，P+注入?yún)^(qū)(34)設(shè)置在靠近P阱(39)的一端；P阱(39)的P+注入?yún)^(qū)(34)設(shè)置在遠離N阱(31)的一端，N+注入?yún)^(qū)(32a)設(shè)置在靠近N阱(31)的一端；N阱(31)和P阱(39)上的N+注入?yún)^(qū)(32a)和P+注入?yún)^(qū)(34)用淺壕溝隔離STI(33a)進行隔離；

在阱區(qū)上方對應N阱(31)的P+注入?yún)^(qū)(34)與P阱(39)的N+注入?yún)^(qū)(32a)之間位置設(shè)置有多晶硅層，多晶硅層與阱區(qū)之間設(shè)置SiO₂氧化層(38)，多晶硅層的一邊摻入P型雜質(zhì)形成P+多晶硅注入?yún)^(qū)(35)，另一邊摻入N型雜質(zhì)形成N+多晶硅注入?yún)^(qū)(37)，中間為本征多晶硅區(qū)(36)；

本征多晶硅區(qū)(36)和SiO₂氧化層(38)上打有通孔(41)，阱區(qū)上對應通孔(41)的位置設(shè)置有環(huán)形淺壕溝隔離STI(33b)，通孔(41)的內(nèi)壁與環(huán)形淺壕溝隔離STI(33b)的外沿相對應；環(huán)形淺壕溝隔離STI(33b)內(nèi)設(shè)置N+注入?yún)^(qū)(32b)，環(huán)形淺壕溝隔離STI(33b)和N+注入?yún)^(qū)(32b)跨接在N阱(31)和P阱(39)之間。