[實用新型]電容式傳聲器芯片

無效

• 申請號: 200720103899.5
• 申請日: 2007-03-21
• 公開（公告）號: CN201032749Y
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 宋青林;陶永春;龐勝利
• 申請（專利權）人: 歌爾聲學股份有限公司
• 主分類號: H04R19/01
• 分類號: H04R19/01;H04R19/04
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種電容式傳聲器芯片，包括基底、絕緣層、導電層、內懸梁支撐，外懸梁支撐、振膜、內懸梁、外懸梁及內懸梁邊框、外懸梁邊框，下電極、上電極；其特征在于：

基底、絕緣層中心有貫通孔，為背腔；

基底上表面固連有絕緣層，絕緣層之上固接導電層，導電層包括背極、電極引線、支撐隔離以及周邊層，導電層的中間區域為背極，背極中心區域正對背腔上開口區域，形成一個懸浮區，懸浮區上有多數個聲孔，背腔以外的背極與絕緣層固結；背極與電極引線相連，背極通過隔離槽與支撐隔離電隔離，背極通過隔離槽與周邊層電隔離；導電層中的背極為電容結構的一個電極板；

導電層之上固結內懸梁支撐、外懸梁支撐，內懸梁支撐固接于支撐隔離之上，內懸梁支撐之上固結內懸梁邊框；外懸梁支撐固結于周邊層之上，在外懸梁支撐一側有貫通孔，貫通孔內徑不小于電極引線邊緣，在外懸梁支撐之上固結外懸梁邊框；在貫通孔內電極引線上表面設有下電極；

振膜與背極形狀相對應，上下正對，振膜與背極之間有2-4um的間隙，形成平板電容結構；振膜邊緣部分有多數個小孔，小孔分布于聲孔在振膜上的投影范圍之外；振膜位于外支撐邊框之內，內支撐邊框之外，振膜通過多數個內懸梁、多數個外懸梁分別與內懸梁邊框、外懸梁邊框相連，內懸梁和外懸梁在同一平面，構成平面復合懸梁結構；在外懸梁邊框之上一側設有上電極。

2.如權利要求1所述的電容式傳聲器芯片，其特征在于：所述背極的懸浮區，其中心區域開有一孔，孔為圓形、方形或多邊形。

3.如權利要求1所述的電容式傳聲器芯片，其特征在于：所述背極的懸浮區，其上設有加強筋，在懸浮區的邊緣等距依次徑向固結多數個加強筋，加強筋為絕緣條和導電條兩層結構，絕緣條與內懸梁支撐、外懸梁支撐在同一水平層內，導電條固結于絕緣條之上，與振膜在同一水平層，且導電條與振膜之間有狹縫。

4.如權利要求2所述的電容式傳聲器芯片，其特征在于：所述背極的懸浮區，在懸浮區中心孔的邊緣等距依次徑向固結多數個加強筋，加強筋為絕緣條和導電條兩層結構，絕緣條與內懸梁支撐、外懸梁支撐在同一水平層內，導電條固結于絕緣條之上，與振膜在同一水平層，且導電條與振膜之間有狹縫。

5.如權利要求1、3或4所述的電容式傳聲器芯片，其特征在于：所述振膜和背極的形狀為方形、圓形、多邊形；支撐隔離是圓形、方形、多邊形；內懸梁、外懸梁，為T形梁。

6.如權利要求1、3或4所述的電容式傳聲器芯片，其特征在于：所述內懸梁、外懸梁、加強筋，都為四個。

7.如權利要求1、3或4所述的電容式傳聲器芯片，其特征在于：所述基底為半導體材料硅；絕緣層是氧化硅、氮化硅；導電層為多晶硅，通過摻磷或者硼，形成n型或者p型導電層；絕緣條、內懸梁支撐、外懸梁支撐為氧化硅，是LTO、PSG、與TEOS中的一種；內懸梁邊框、外懸梁邊框、內懸梁、外懸梁及振膜為導電材料，是多晶硅，并通過摻磷或者硼，形成n型或者p型導電層。