[實(shí)用新型]AlGaInP－LED微顯示器件

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200720093946.2
• 申請(qǐng)日: 2007-06-20
• 公開（公告）號(hào): CN201119048Y
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁靜秋;王波;王維彪;梁中翥;朱萬彬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所
• 主分類號(hào): H05B33/14
• 分類號(hào): H05B33/14;H05B33/26;F21V11/06;G02F1/13357
• 代理公司: 長(zhǎng)春菁華專利商標(biāo)代理事務(wù)所
• 代理人: 趙炳仁

1.?一種AlGaInP-LED微顯示器件，其特征是由上電極(1)、透光層(4)、發(fā)光層(5)、反射層(6)、基片(7)、下電極(9)、光闌(11)構(gòu)成；反射層(6)的上面依次為發(fā)光層(5)、透光層(4)，反射層(6)的下面是基片(7)；在透光層(4)上有互相平行的條形上電極(1)，發(fā)光層(5)和透光層(4)中開有縱向、橫向交錯(cuò)的上隔離溝槽(2)內(nèi)是光闌(11)；光闌(11)與上電極(1)將透光層(4)分割成長(zhǎng)方形或正方形透光區(qū)(3)，透光區(qū)(3)構(gòu)成二維陣列；反射層(6)下面的基片(7)上開有與上電極(1)互相垂直的下隔離溝槽(8)，將基片(7)分割成平行排列的條狀結(jié)構(gòu)，在每個(gè)條狀結(jié)構(gòu)的基片(7)上有下電極(9)。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaInP-LED微顯示器件，其特征是透光區(qū)(3)尺寸為15×30μm²，構(gòu)成1000×500二維陣列。

3.?根據(jù)權(quán)利要求2所述的AlGaInP-LED微顯示器件，其特征是透光層(4)材料為p-GaP，發(fā)光層(5)由三層組成：上限制層(12)、有源層(13)、下限制層(14)，上限制層為p-AlGaInP材料，有源層為非故意摻雜的AlGaInP材料，下限制層為n-AlGaInP材料，反射層(6)材料為AlGaAs/GaAs，基片(7)材料為n-GaAs。

4.?根據(jù)權(quán)利要求3所述的AlGaInP-LED微顯示器件，其特征是光闌(11)寬度為1～200μm，上電極(1)寬度為1～500μm，像素大小為10～1000μm。

5.?根據(jù)權(quán)利要求3所述的AlGaInP-LED微顯示器件，其特征是電流從上電極(1)注入，從下電極(9)流出，在器件中形成電場(chǎng)，使得正負(fù)載流子在發(fā)光層(5)內(nèi)復(fù)合發(fā)光；其中部分光向上穿過透光層(4)，從透光區(qū)(3)射出；部分光向下到達(dá)反射層(6)，被反射層(6)反射，再穿過發(fā)光層(5)、透光層(4)，從透光區(qū)(3)射出。

6.?根據(jù)權(quán)利要求2所述的AlGaInP-LED微顯示器件，其特征是在透光區(qū)(3)、上電極(1)、光闌(11)上覆蓋有上保護(hù)層(10)。