[實用新型]適用于低壓常規電源加熱啟動的多晶硅氫還原爐

有效

• 申請號: 200720081581.1
• 申請日: 2007-10-23
• 公開（公告）號: CN201105993Y
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發明（設計）人: 劉漢元;戴自忠
• 申請（專利權）人: 四川永祥多晶硅有限公司
• 主分類號: C01B33/023
• 分類號: C01B33/023;C01B33/03;C30B29/06;F27B5/04
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所
• 代理人: 方強

1、適用于低壓常規電源啟動的多晶硅氫還原爐，包括帶有冷卻裝置的爐殼(1、2)，爐殼安裝在底盤(6)上；底盤(6)上布有進、出氣裝置(11)，底盤(6)設有加熱電極(7)，電極(7)上一一對應安裝有硅芯棒(3)，其特征在于：硅芯棒(3)和電極(7)為各18對，即各36個，且在底盤(6)上沿三個同心圓周均布設置，從內圓周向外圓周分別設置為3對、5對、10對；所述內圓周的3對硅芯棒(3)為低電阻率硅芯棒，其余兩圓周上為常規電阻率硅芯棒。

2、根據權利要求1所述的適用于低壓常規電源啟動的多晶硅氫還原爐，其特征在于：所述噴口(10)為四組，每組噴口(10)為多個，其中兩組噴口(10)形成的圓為同心圓，且均布在底盤(6)每兩個硅芯棒(3)圈之間的圓周上，另外兩組設置在內圈硅芯棒(3)圓周之內。

3、根據權利要求2所述的適用于低壓常規電源啟動的多晶硅氫還原爐，其特征在于：每個噴口(10)上設有可拆卸式石墨噴嘴，且每個噴嘴的截面積相同；各組噴口(10)的噴嘴的截面積之和的比為1∶2∶4∶8。

4、根據權利要求1、2或3所述的適用于低壓常規電源啟動的多晶硅氫還原爐，其特征在于：所述低電阻率硅芯棒為電阻率為0.05-0.1Ω-Cm的摻雜硅芯棒。

5、根據權利要求4所述的適用于低壓常規電源啟動的多晶硅氫還原爐，其特征在于：所述摻雜硅芯棒是指加入了硼或磷制成的電阻率為0.05-0.1Ω-cm的硅芯棒。