[實用新型]提高量子效率的大功率發光二極管芯片有效
| 申請號： | 200720076694.2 | 申請日： | 2007-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN201149873Y | 公開（公告）日： | 2008-11-12 |
| 發明（設計）人： | 甘志銀;劉勝;王愷;汪沛 | 申請（專利權）人： | 甘志銀;劉勝 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海市華誠律師事務所 | 代理人： | 李平 |
| 地址： | 201203上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 量子 效率 大功率 發光二極管 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高量子效率的大功率發光二極管芯片，主要包括：外延層、襯底，其特征在于所述外延層生長在襯底上，外延層刻蝕為微單元結構的陣列，外延層頂面沉積一導光層，導光層上制作有微結構，或直接在外延層頂面制作有微結構。
2.根據權利要求1所述的提高量子效率的大功率發光二極管芯片，其特征在于所述微單元結構的形狀為正梯形臺或倒梯形臺或長方體或正方體陣列。
3.根據權利要求1所述的提高量子效率的大功率發光二極管芯片，其特征在于所述導光層或外延層頂面上的微結構的形狀為凹圓或凹槽或凹錐形或凹環形或球冠微透鏡或上述形狀的組合。
4.根據權利要求1所述的提高量子效率的大功率發光二極管芯片，其特征在于所述導光層的厚度為1.5微米到10微米。
5.根據權利要求1所述的提高量子效率的大功率發光二極管芯片，其特征在于所述微結構的側壁沉積一層反光膜或微結構的側壁形狀為全反射角或接近全反射，側壁與垂直線夾角為10°到50°，或微結構之間填充不同折射率材料。
6.根據權利要求1所述的提高量子效率的大功率發光二極管芯片，其特征在于所述外延層由不同折射率的材料平面鑲嵌形成微單元結構的陣列。
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