[實用新型]一種薄膜太陽能電池

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200720071032.6
• 申請日: 2007-06-13
• 公開（公告）號: CN201069776Y
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄒遠達
• 申請（專利權(quán)）人: 上海銀翊龍投資管理咨詢有限公司鄒遠達
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/032
• 代理公司: 上海世貿(mào)專利代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 李浩東

技術(shù)領(lǐng)域：

本實用新型涉及太陽能電池的技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種非晶硅薄膜太陽能電池。

背景技術(shù)：

隨著現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展，一方面加大對能源的需求，另一方面在常規(guī)能源的使用中釋放出大量的二氧化碳氣體，導(dǎo)致全球性的“溫室效應(yīng)”，為此各國力圖擺脫常規(guī)能源的依賴，加速發(fā)展可再生能源，太陽能具有“取之不盡，用之不竭”的特點，而利用太陽能發(fā)電具有環(huán)保等優(yōu)點，且不必考慮其安全性問題。所以在發(fā)達國家得到了高度重視，比如歐盟國家計劃在2010年太陽能光電轉(zhuǎn)換的電力所占總電力的1.5％，美國啟動了“百萬屋頂”計劃，在能源短缺，環(huán)境保護問題日益嚴重的我國，低成本高效率地利用太陽能尤為重要。目前主要的太陽能電池技術(shù)基于晶體硅，包括多晶硅和單晶硅兩種，它能滿足太陽能使用的一般要求，但是它具有以下缺點：1、在生產(chǎn)中還需要相當(dāng)大量的能量，在硅的冶煉過程中對環(huán)境造成環(huán)境很大的污染；2、太陽能轉(zhuǎn)化效率有待提高；3、太陽能電池形狀是單一的平板形，適用性受到了限制。

同時從固體物理學(xué)上講，硅材料并不是最理想的光伏材料，這主要是因為硅是間接能帶半導(dǎo)體材料，其光吸收系數(shù)較低。

發(fā)明內(nèi)容：

本實用新型的目的在于提供一種改進的薄膜太陽能電池，它可克服現(xiàn)有技術(shù)中太陽能轉(zhuǎn)換率不高、太陽能電池形狀單一的一些不足。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型的技術(shù)方案是：一種薄膜太陽能電池，它主要包括基板，其特征在于：基板的表面涂有鋁箔層，基板的背面電極層上依次設(shè)有緩沖層、光吸收層和窗口層。

使用時本實用新型的薄膜太陽能電池采用可塑性的基板，使太陽能電池可根據(jù)需要制造成各種形狀，從而能適應(yīng)各種使用場合，擴大了太陽能電池的適用性，同時光吸收層為P-型半導(dǎo)體Cu(In，Ca)(Se，S)₂化合物形成，能有效提高太陽能轉(zhuǎn)換效率，從現(xiàn)有的12-16％提高到17.5％以上，并具有良好的耐用性和工作持久性。

附圖說明：

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖

具體實施方式：

下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步的描述。

本實用新型主要包括基板1，其與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別在于：基板的表面涂有鋁箔層，基板的背面電極層上依次設(shè)有緩沖層2、光吸收層3和窗口層5，光吸收層為P-型半導(dǎo)體Cu(In，Ca)(Se，S)₂化合物形成。窗口層為n-型半導(dǎo)體。基板的厚度為2-3mm，光吸收層的厚度為1.5-2pm，緩沖層的厚度為50-150nm，窗口層的厚度為0.5-1μm。

在實施中，本實用新型的薄膜太陽能電池采用可塑性的基板，使太陽能電池可根據(jù)需要制造成各種形狀，從而能適應(yīng)各種使用場合，擴大了太陽能電池的適用性，同時光吸收層為P-型半導(dǎo)體Cu(In，Ca)(Se，S)₂化合物形成，能有效提高太陽能轉(zhuǎn)換效率，從現(xiàn)有的12-16％提高到17.5％以上，并具有良好的耐用性和工作持久性。