[實用新型]薄膜晶體管陣列基板無效
| 申請號: | 200720069485.5 | 申請日: | 2007-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN201097400Y | 公開(公告)日: | 2008-08-06 |
| 發明(設計)人: | 張鋒 | 申請(專利權)人: | 上海廣電光電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 | 代理人: | 白璧華 |
| 地址: | 200233上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 | ||
1.?一種薄膜晶體管陣列基板,包括
多條沿第一方向延伸的柵極掃描線(20);
多條沿第二方向延伸的數據線(30),柵極掃描線(20)和數據線(30)交叉形成像素區域;
設置在像素區域內的薄膜晶體管(31)和像素電極(40);
形成在與柵極掃描線(20)同一金屬層上的內側遮光線(21)和外側遮光線(22),并分布在數據線(30)的兩側;
其中所述外側遮光線(22)或數據線(20)的一端至少有一突起(22a),所述突起(22a)使外側遮光線(22)與數據線(30)交疊,外側遮光線(22)的另一端與橫跨柵極掃描線(20)的修復線(32)的一端交疊,修復線(32)的另一端與柵極掃描線(20)交疊的修復襯墊(23)交疊。
2.?根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于所述的突起(22a)由外側遮光線(22)朝向數據線(30)延伸形成,或由數據線(30)朝向外側遮光線(22)延伸形成。
3.?根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于所述的外側遮光線(22)的上端向外形成有突起(22b),所述修復線(32)和突起(22b)重疊交叉,且所述修復襯墊(23)與柵極掃描線(20)形成在同一金屬層上,所述修復線(32)與數據線(30)形成在同一金屬層上。
4.?根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于所述的修復線(32)和數據線(30)之間的距離大于等于6微米。
5.?根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于所述的修復襯墊(23)與柵極掃描線(20)形成在同一金屬層上,所述修復線(32)形成在像素電極層上,所述修復線(32)和修復襯墊(23)及外側遮光線(22)的重疊交叉中間層還分別設置有與數據線(30)形成在同一金屬層上的修復襯墊(33a)和(33b)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





