[實(shí)用新型]硬盤(pán)電源控制電路

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200720066638.0
• 申請(qǐng)日: 2007-01-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN201004206Y
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳志龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 環(huán)達(dá)電腦(上海)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F1/26
• 分類(lèi)號(hào): G06F1/26
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

【技術(shù)領(lǐng)域】

本實(shí)用新型有關(guān)一種控制為硬盤(pán)提供電源，尤其是一種由可編程器件和脈沖信號(hào)共同控制硬盤(pán)運(yùn)行狀態(tài)的硬盤(pán)電源控制電路。

【背景技術(shù)】

在臺(tái)式計(jì)算機(jī)中，SATA(Serial?Advanced?Technology?Attachment)硬盤(pán)一般都是直接從供電電源中直接獲得能量，因此無(wú)法通過(guò)控制供電電源而控制SATA硬盤(pán)的運(yùn)行狀態(tài)。但是在有限的空間以及一些特定機(jī)臺(tái)中SATA硬盤(pán)的電源來(lái)源于主板或者與主板相連的接口卡上，就想到控制SATA硬盤(pán)的運(yùn)行狀態(tài)，從而達(dá)到在不毀壞SATA硬盤(pán)的情況下任意的插拔該SATA硬盤(pán)。

鑒于上述，有必要開(kāi)發(fā)一種硬盤(pán)電源控制電路，用以控制SATA硬盤(pán)的運(yùn)行狀態(tài)，即插即拔該硬盤(pán)。

【發(fā)明內(nèi)容】

因此，本實(shí)用新型的目的即提供一種硬盤(pán)電源控制電路，用以控制SATA硬盤(pán)的運(yùn)行狀態(tài)。

為達(dá)成上述目的，本實(shí)用新型提供一種硬盤(pán)電源控制電路，耦合于一南橋或者其它可編程器件與一硬盤(pán)電源連接器之間，用以控制與該硬盤(pán)電源連接器耦合的硬盤(pán)的運(yùn)行狀態(tài)，該電路包括一受控單元，該受控單元的輸入端耦接上述南橋或者其它可編程器件以及脈沖信號(hào)，輸出端耦合二三極管基極，該二三極管的發(fā)射極接地，集電極分別耦接第二、第三正電壓源，且該二集電極還分別耦合一P-MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極，該二P-MOS場(chǎng)效應(yīng)管的源極分別連接上述第二、第三正電壓源，漏極分別耦合上述硬盤(pán)電源連接器的第一、第二接口，且該漏極與該源極之間耦合一電阻。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，該電路集成于主板或者與主板相連的接口卡上，利用可編程器件的輸出以及使用者可自行控制的脈沖信號(hào)共同控制SATA硬盤(pán)的運(yùn)行狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)即插即拔該硬盤(pán)的目的；另，該可編程器件還可引出多個(gè)信號(hào)控制相應(yīng)SATA硬盤(pán)，兼容性好。

【附圖說(shuō)明】

圖1為本實(shí)用新型的硬盤(pán)電源控制電路的電路圖。

【具體實(shí)施方式】

參閱圖1，為本實(shí)用新型的硬盤(pán)電源控制電路的電路圖，該電路集成于主板或者與主板相連的接口卡上，耦合于一南橋或者其它可編程器件(未示)與一硬盤(pán)電源連接器2之間，用以控制耦合于該硬盤(pán)電源連接器2輸出端的硬盤(pán)運(yùn)行狀態(tài)，該電路包括一受控單元，該受控單元的輸入端耦接上述南橋或者其它可編程器件以及使用者選擇激活或關(guān)閉硬盤(pán)時(shí)機(jī)的脈沖信號(hào)，輸出端耦合三極管基極，以控制一SATA硬盤(pán)為例進(jìn)行說(shuō)明，該受控單元為一上升沿D觸發(fā)器1，詳言之，該上升沿D觸發(fā)器1的數(shù)據(jù)輸入端11、時(shí)鐘脈沖端12耦接來(lái)源于南橋或者其它可編程器件的信號(hào)GPO1、GPO3_BLINK，其中，該時(shí)鐘脈沖端12還耦合一電阻R2接地，清零端13耦合復(fù)位信號(hào)RST(脈沖信號(hào))，預(yù)置端14串聯(lián)一電阻R1接第一正電壓源Vcc1(+5V)，輸出端15通過(guò)串聯(lián)一基極直流偏置電阻R3分別連接二NPN型三極管Q1、Q2的基極，且該二基極還分別引出一濾波電容C接地，該二三極管Q1、Q2的發(fā)射極接地，集電極分別串聯(lián)集電極直流偏置電阻R4、R7耦接第二、第三正電壓源Vcc2、Vcc3，本實(shí)施例中，該第二、三正電壓源Vcc2、Vcc3的電壓值分別為+12V、+5V，且該二集電極與該二集電極直流偏置電阻R4、R7的連接節(jié)點(diǎn)分別定義為I、II，該二節(jié)點(diǎn)I、II分別引出電阻R5、R8一端，該電阻R5、R8另一端分別耦合電容C1、C2接地，且該電阻R5、R8該端還分別耦合P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管U1、U2的柵極，該二P-MOS場(chǎng)效應(yīng)管U1、U2的源極分別連接上述第二、第三正電壓源Vcc2、Vcc3，且該源極還引出電解電容C3、C4正極，該電解電容C3、C4負(fù)極接地，該二P-MOS場(chǎng)效應(yīng)管U1、U2的漏極分別耦合硬盤(pán)電源連接器2的第一、第二接口21、22，其中P-MOS場(chǎng)效應(yīng)管U2的漏極還耦合發(fā)光二極管3正極，該發(fā)光二極管3負(fù)極串聯(lián)一電阻R10接地，且該二P-MOS場(chǎng)效應(yīng)管U1、U2的漏極與該源極分別耦合電阻R6、R7，且本實(shí)施例中為防止過(guò)流損壞場(chǎng)效應(yīng)管，該二P-MOS場(chǎng)效應(yīng)管U1、U2皆為8管腳P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管，其中，三源極管腳分別連接第二、第三正電壓源Vcc2、Vcc3，四漏極管腳分別連接硬盤(pán)電源連接器2的第一、第二接口21、22。