[實用新型]一種發光二極管的晶片

無效

• 申請號: 200720053762.3
• 申請日: 2007-07-04
• 公開（公告）號: CN201069779Y
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發明（設計）人: 樊邦弘
• 申請（專利權）人: 鶴山麗得電子實業有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及LED封裝，特指一種發光二極管的晶片。

背景技術

在發光二極管的發展歷程中，如何提高發光二極管的發光效率一直是所有技術人員研發的重點。隨著發光二極管技術的不斷發展，將晶片采用倒裝的封裝技術能大幅度地提高發光效率，因此現有的很多大功率LED都采用上述的封裝方法。晶片倒裝的方案雖然在一定程度上能提高出光效率，但它的電極必須安裝于同一側，會產生諸多不便?，F有倒裝晶片上的電極都采用的柱狀電極，將P層切割掉一部分，同時也切割掉一部分PN結發光層，再將N層電極連接至N層，而P層電極則直接安置于P層上。這種將PN結切割掉的方案無疑降低了晶片發光效率，另外柱狀電極與P層或N層的接觸面積比較小，電流在P層或N層上分布很不均勻，因此對晶片的發光效率也有不小的負面影響，而且它的散熱效果也比較差。

發明內容

本實用新型針對上述問題，提供一種發光二極管的晶片，它可以在很大程度上使P層上的電流分布比較均勻，而且能改善散熱效果。

為了達到上述目的，本實用新型采用如下方案：一種發光二極管的晶片，包括襯底，在襯底上依次生長而成的N層和P層，以及給P層和N層提供電源的P層電極和N層電極，其特征在于：所述P層上開設有字母“N”形狀的凹槽，該凹槽由P層頂面深入至N層頂面，N層電極嵌于凹槽內并且N層電極上頂面伸出P層，下底面與N層接觸；在N層電極與P層之間填充有絕緣層，P層電極位于N層電極拐角之間呈三角形覆蓋在P層上；所述絕緣層由導熱材料制成；所述P層電極由透光導電材料制成；所述絕緣層的頂面、P層電極的頂面和N層電極的頂面相互平齊。

與現有的晶片電極安置方式相比，本實用新型將三角形狀的P層電極覆蓋在P層上，整個三角形底面與P層接觸，其接觸面積大，可使P層上的電流分布均勻，因此可以提高發光效率，同時也增加了散熱面積，散熱效果好。

附圖說明

圖1為本實用新型的主視圖；

圖2為本實用新型的立體示意圖；

圖3為本實用新型的剖示圖。

具體實施方式

對照圖1和圖2，本實用新型是一種發光二極管的晶片，包括襯底1，在襯底1上依次生長而成的N層2和P層3，它們之間即為PN結發光層23，以及給P層3和N層2提供電源的P層電極5和N層電極4。對照圖3，在P層3上開設有呈字母“N”形狀的凹槽31，該凹槽31由P層3頂面完全貫穿P層3并一直深入至N層2頂面，N層電極4具有與凹槽31一致的形狀且其厚度略大于凹槽31深度，N層電極4嵌于凹槽31內并且N層電極4的上頂面伸出P層3，其下底面與N層2接觸以提供電源給N層2；為了使N層電極4與P層3不會形成電接觸，N層電極4寬度則小于凹槽31的寬度，并且在N層電極4與P層3之間的凹槽31內填充有絕緣層6，將N層電極4與P層3隔離開，因此絕緣層6形成將N層電極4包圍的形勢，即在N層電極4的外側和內側都是絕緣層6，該絕緣層6與N層電極4具有同樣的厚度，以保證N層電極4與P層3之間完全沒有相接觸的部分。P層電極5覆蓋在P層3上，為了使P層電極5與P層3的接觸面積更大，因此有兩塊與N層電極4形狀相適應呈三角形的P層電極5，分別位于N層電極4的兩個拐角處，P層電極5的厚度相當于N層電極4相對于P層3高出的部分，以使P層電極5與N層電極4的頂面平齊。另外，由于絕緣層6與N層電極4具有相同的厚度，所以在N層電極4與P層電極5之間同樣地以絕緣層6隔離開，這樣會減少兩電極之間產生電火花或靜電的可能性。再者，絕緣層6也可由導熱材料制成，以增加散熱功能。

本實用新型增大了電極與P層的接觸面積，使電流分布更加均勻，因此可以提高發光效率，同時也增加了散熱面積，散熱效果好。此外，本實用新型可適用于正裝晶片或倒裝晶片技術，正裝晶片中P層電極則使用透光導電材料制成，例如ITO(氧化錫銦)，光線可由電極透射出，而在倒裝晶片中則不用考慮電極材料的透光性。