[實用新型]一種低電壓垂直型場效應晶體管

無效

• 申請號: 200720051793.5
• 申請日: 2007-05-23
• 公開（公告）號: CN201069775Y
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發明（設計）人: 吳緯國
• 申請（專利權）人: 廣州南科集成電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 廣州市紅荔專利代理有限公司
• 代理人: 李彥孚

1.一種低電壓垂直型場效應晶體管，包括硅襯底(1)，位于所述硅襯底(1)背面的漏極金屬(2)、位于所述硅襯底(1)正面的外延層(8)，形成于所述外延層(8)正面的氧化層(9)，位于所述氧化層(9)正面的源極金屬(3)、柵極金屬(4)，植入到所述外延層(8)中的阱區(51)、源區(52)，生長于所述外延層(8)正面周邊的厚柵氧化層I(60)及所述外延層(8)正面中部的薄柵極絕緣層(61)，位于所述柵氧化層I(60)、所述柵極絕緣層(61)上的多晶硅柵極(7)，所述氧化層(9)內有若干個接觸孔，所述源極金屬(3)、所述柵極金屬(4)填充若干個所述接觸孔并分別與所述阱區(51)、所述源區(52)及所述多晶硅柵極(7)相連接，其特征在于：所述場效應晶體管還包括厚柵氧化層II(62)，各相鄰所述阱區(51)之間上方對應的所述柵極絕緣層(61)中間被所述柵氧化層II(62)隔開。

2.根據權利要求1所述的低電壓垂直型場效應晶體管，其特征在于：所述外延層(8)為N型外延層，其電阻率為0.001～0.02Ω·m，厚度為1.5～8微米。

3.根據權利要求1所述的低電壓垂直型場效應晶體管，其特征在于：所述外延層(8)為P型外延層，其電阻率為0.002～0.05Ω·m，厚度為3～10微米。