[實(shí)用新型]等離子平板顯示器驅(qū)動(dòng)芯片結(jié)構(gòu)

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200720046401.6
• 申請(qǐng)日: 2007-09-26
• 公開（公告）號(hào): CN201130665Y
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李海松;吳虹;孫偉鋒;易揚(yáng)波;時(shí)龍興
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L27/092
• 分類號(hào): H01L27/092
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 陸志斌

1、一種等離子平板顯示器驅(qū)動(dòng)芯片結(jié)構(gòu)，包括P型襯底(1)，在P型襯底(1)上設(shè)有N型外延層(8)，在N型外延層(8)上設(shè)有高壓-P型橫向金屬氧化物半導(dǎo)體管(2)、高壓-N型橫向金屬氧化物半導(dǎo)體管(3)及低壓-互補(bǔ)型橫向金屬氧化物半導(dǎo)體管(4)，其特征在于在P型襯底(1)與N型外延層(8)之間設(shè)有N型重?fù)诫s埋層(5)且高壓-P型橫向金屬氧化物半導(dǎo)體管(2)、高壓-N型橫向金屬氧化物半導(dǎo)體管(3)及低壓-互補(bǔ)型橫向金屬氧化物半導(dǎo)體管(4)位于N型重?fù)诫s埋層(5)的上方，在高壓-P型橫向金屬氧化物半導(dǎo)體管(2)與高壓-N型橫向金屬氧化物半導(dǎo)體管(3)之間設(shè)有第一溝槽(61)，在高壓-N型橫向金屬氧化物半導(dǎo)體管(3)與低壓-互補(bǔ)型橫向金屬氧化物半導(dǎo)體管(4)之間設(shè)有第二溝槽(62)，在第一溝槽(61)及第二溝槽(62)內(nèi)填充有二氧化硅(6A)，所述的第一溝槽(61)及第二溝槽(62)始自P型襯底(1)、穿過延伸N型重?fù)诫s埋層(5)、進(jìn)入N型外延層(8)并止于上述半導(dǎo)體管的氧化層(7)。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子平板顯示器驅(qū)動(dòng)芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于在高壓-P型橫向金屬氧化物半導(dǎo)體管(2)的外測(cè)設(shè)有第三溝槽(63)，在第三溝槽(63)內(nèi)填充有二氧化硅(6A)，所述第三溝槽(63)始自P型襯底(1)，并穿過延伸N型重?fù)诫s埋層(5)至上述半導(dǎo)體管的氧化層(7)。

3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子平板顯示器驅(qū)動(dòng)芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于在低壓-互補(bǔ)型橫向金屬氧化物半導(dǎo)體管(4)的外側(cè)設(shè)有第四溝槽(64)，在第四溝槽(64)內(nèi)填充有二氧化硅(6A)，所述第四溝槽(64)始自P型襯底(1)，并穿過延伸N型埋層(5)至上述半導(dǎo)體管的氧化層(7)。

4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子平板顯示器驅(qū)動(dòng)芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于在第一溝槽(61)、第二溝槽(62)、第三溝槽(63)或第四溝槽(64)中填充的二氧化硅(6A)設(shè)有多晶硅層(6B)。