[實用新型]離子束發(fā)生裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200720043540.3
• 申請日: 2007-10-08
• 公開（公告）號: CN201113231Y
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳志良;葉鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 葉鵬;吳志良
• 主分類號: H01T23/00
• 分類號: H01T23/00
• 代理公司: 無錫華源專利事務(wù)所
• 代理人: 聶漢欽

1.離子束發(fā)生裝置，包括腔體，腔體上帶有空氣入口及離子束出口，其特征在于所述腔體由順序連接的主腔體、上腔體及副腔體構(gòu)成，空氣入口位于主腔體上，所述離子束出口有二個，一級離子束出口位于主腔體的尾部，二級離子束出口位于所述副腔體的出口端，所述主腔體內(nèi)順序裝置平面渦流器及第一離子束發(fā)生器，所述上腔體內(nèi)裝置螺旋渦流器，所述副腔體內(nèi)裝置第二離子束發(fā)生器。

2.按照權(quán)利要求1所述的離子束發(fā)生裝置，其特征在于所述第一離子束發(fā)生器及第二離子束發(fā)生器分別包括順序安裝的氣流導(dǎo)向控制器、電子加速器、反射導(dǎo)向器及高頻高壓換能器；所述電子加速器的中部分別有一管道，所述管道分別與所述氣流導(dǎo)向控制器及反射導(dǎo)向器密封連接，構(gòu)成氣流通道。

3.按照權(quán)利要求2所述的離子束發(fā)生裝置，其特征在于所述電子加速器由其中部管道外圍的電磁線圈構(gòu)成，在所述反射導(dǎo)向器與電子加速器之間設(shè)置聚焦線圈。

4.按照權(quán)利要求3所述的離子束發(fā)生裝置，其特征在于所述電子加速器的電磁線圈外圍設(shè)置有屏蔽網(wǎng)。

5.按照權(quán)利要求2或3所述的離子束發(fā)生裝置，其特征在于所述高頻高壓換能器由正電極板與負電極板相間安裝構(gòu)成，每兩塊電極板之間設(shè)置間隙，所述正電極板與負電極板分別電連接。

6.按照權(quán)利要求5所述的離子束發(fā)生裝置，其特征在于所述間隙為0.2mm。

7.按照權(quán)利要求1所述的離子束發(fā)生裝置，其特征在于所述主腔體與上腔體之間設(shè)置活塞閥。

8.按照權(quán)利要求1所述的離子束發(fā)生裝置，其特征在于所述上腔體頂部裝置電磁閥，上腔體內(nèi)裝置過濾分子篩。