[實用新型]離子束發(fā)生裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200720043540.3 | 申請日: | 2007-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN201113231Y | 公開(公告)日: | 2008-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳志良;葉鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 葉鵬;吳志良 |
| 主分類號: | H01T23/00 | 分類號: | H01T23/00 |
| 代理公司: | 無錫華源專利事務(wù)所 | 代理人: | 聶漢欽 |
| 地址: | 214174江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 離子束 發(fā)生 裝置 | ||
1.離子束發(fā)生裝置,包括腔體,腔體上帶有空氣入口及離子束出口,其特征在于所述腔體由順序連接的主腔體、上腔體及副腔體構(gòu)成,空氣入口位于主腔體上,所述離子束出口有二個,一級離子束出口位于主腔體的尾部,二級離子束出口位于所述副腔體的出口端,所述主腔體內(nèi)順序裝置平面渦流器及第一離子束發(fā)生器,所述上腔體內(nèi)裝置螺旋渦流器,所述副腔體內(nèi)裝置第二離子束發(fā)生器。
2.按照權(quán)利要求1所述的離子束發(fā)生裝置,其特征在于所述第一離子束發(fā)生器及第二離子束發(fā)生器分別包括順序安裝的氣流導(dǎo)向控制器、電子加速器、反射導(dǎo)向器及高頻高壓換能器;所述電子加速器的中部分別有一管道,所述管道分別與所述氣流導(dǎo)向控制器及反射導(dǎo)向器密封連接,構(gòu)成氣流通道。
3.按照權(quán)利要求2所述的離子束發(fā)生裝置,其特征在于所述電子加速器由其中部管道外圍的電磁線圈構(gòu)成,在所述反射導(dǎo)向器與電子加速器之間設(shè)置聚焦線圈。
4.按照權(quán)利要求3所述的離子束發(fā)生裝置,其特征在于所述電子加速器的電磁線圈外圍設(shè)置有屏蔽網(wǎng)。
5.按照權(quán)利要求2或3所述的離子束發(fā)生裝置,其特征在于所述高頻高壓換能器由正電極板與負電極板相間安裝構(gòu)成,每兩塊電極板之間設(shè)置間隙,所述正電極板與負電極板分別電連接。
6.按照權(quán)利要求5所述的離子束發(fā)生裝置,其特征在于所述間隙為0.2mm。
7.按照權(quán)利要求1所述的離子束發(fā)生裝置,其特征在于所述主腔體與上腔體之間設(shè)置活塞閥。
8.按照權(quán)利要求1所述的離子束發(fā)生裝置,其特征在于所述上腔體頂部裝置電磁閥,上腔體內(nèi)裝置過濾分子篩。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于葉鵬;吳志良,未經(jīng)葉鵬;吳志良許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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