[實(shí)用新型]陳列封裝式半導(dǎo)體浪涌防護(hù)器件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200720037872.0
• 申請(qǐng)日: 2007-05-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN201051500Y
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪勁松;范文龍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 常熟通富電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/07
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/07;H01L23/488;H01L23/36;H01L23/62
• 代理公司: 常熟市常新專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 朱偉軍

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種陳列封裝式半導(dǎo)體浪涌防護(hù)器件，起電磁浪涌防護(hù)、抑制電諧波、通信設(shè)施如程控交換機(jī)及雷達(dá)系統(tǒng)的快速過(guò)壓保護(hù)，屬于電子元器件應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

已有技術(shù)對(duì)電磁浪涌防護(hù)、抑制電諧波、通信與雷達(dá)系統(tǒng)的快速過(guò)壓保護(hù)的半導(dǎo)體浪涌保護(hù)器件通常由半導(dǎo)體二極管即業(yè)界簡(jiǎn)稱(chēng)為T(mén)VS(Transient?Voltage?Suppressor)來(lái)?yè)?dān)當(dāng)。半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)典型的由軸向封裝式例如由意大利意法半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的型號(hào)為D0-41，以及同樣由該公司生產(chǎn)的型號(hào)為D0-214AA的貼片封裝式結(jié)構(gòu)。這種半導(dǎo)體二極管具有響應(yīng)速度快，能達(dá)到納秒級(jí)和殘壓低、動(dòng)作精度高、無(wú)跟隨電流的優(yōu)點(diǎn)；欠缺是容易受熱而失效、耐流能力差、通流能力弱，通常只有幾百安培。

申請(qǐng)人認(rèn)為上述欠缺是由二極管的封裝結(jié)構(gòu)所致，即由單片式封裝所致，因?yàn)橐粋€(gè)單位面積的芯片在半導(dǎo)體工作狀態(tài)下所承受的功率是一定的，如果將芯片加工成耐高電壓芯片，那么其通流能力便相應(yīng)變小，在高電壓工作電平下，工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生極大的熱量致使器件熱失效，由于熱失效而導(dǎo)致芯片不能承受大的功率，即前述的通流能力小。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的任務(wù)是要提供一種耐熱程度高、耐流能力強(qiáng)、通流能力大的陳列封裝式半導(dǎo)體浪涌防護(hù)器件。

本實(shí)用新型的任務(wù)是這樣來(lái)完成的，一種陳列封裝式半導(dǎo)體流浪涌防護(hù)器件，它包括基體，該基體包括芯片和分別結(jié)合在芯片兩側(cè)的一對(duì)第一、第二電極以及用于將基體與電路連接的一對(duì)第一、第二插腳，特點(diǎn)是：還包括有至少一個(gè)疊加基體，該疊加基體包括一疊加芯片和分別結(jié)合在疊加芯片兩側(cè)的一對(duì)第一、第二疊加電極，其中：第二電極與第一疊加電極相貼合，所述的第一、第二插腳分別與第一電極和第二疊加電極的外側(cè)貼合。

本實(shí)用新型所述的芯片、疊加芯片的材料為單晶硅，單晶硅的厚度為0.1～0.5mm。

本實(shí)用新型所述的芯片、疊加芯片的形狀、大小是相同的。

本實(shí)用新型所述的第一、第二電極以及所述的第一、第二疊加電極的材料為金屬。

本實(shí)用新型所述的第一、第二電極以及所述的第一、第二疊加電極的形狀大小是相同的。

本實(shí)用新型所述的第一、第二電極以及所述的第一、第二疊加電極的厚度各為0.15～0.5mm。

本實(shí)用新型所述的結(jié)合為高溫錫焊結(jié)合，所述的貼合為高溫錫焊貼合。

本實(shí)用新型所述的疊加基體的數(shù)量為1-10個(gè)。

本實(shí)用新型所述的疊加基體的數(shù)量為3-10個(gè)。

本實(shí)用新型所述的第一、第二插腳上所延伸出的第一、第二插腳接線(xiàn)耳的形狀為直條形或彎曲形。

本實(shí)用新型所推的技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)：由于在基體上結(jié)合有疊加基體，因此能增強(qiáng)器件的耐熱程度和耐流能力以及提高通流能力。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的第一實(shí)施例示意圖。

圖2為本實(shí)用新型的第二實(shí)施例示意圖。

圖3為本實(shí)用新型的第三實(shí)施例示意圖。

圖4為本實(shí)用新型的第四實(shí)施例示意圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1：

請(qǐng)參閱圖1，作為一種實(shí)施方式，給出的基體1包括材料為單晶硅并且厚度為0.12mm的芯片11和分別通過(guò)高溫錫焊料結(jié)合在芯片11兩側(cè)的并且形狀、大小均與芯片1相同的材料為金屬但優(yōu)選為銅并且厚度為0.16mm的第一、第二電極12、13。一個(gè)疊加基體2結(jié)合在基體1的一側(cè)即結(jié)合在第二電極13上，該疊加基體2包括材料為單晶硅并且厚度為0.12mm的疊加芯片21和分別通過(guò)高溫錫焊料而結(jié)合在疊加芯片21兩側(cè)的并且形狀、大小與疊加芯片21相同的材料為金屬并且優(yōu)選為銅并且厚度為0.16mm的第一、第二疊加電極22、23。其中：第二電極13與第一疊加電極22通過(guò)高溫錫焊料貼合即焊合在一起構(gòu)成雙重復(fù)合基體，這里所講的雙重復(fù)合基體即為一個(gè)基體1與一個(gè)疊加基體2相結(jié)合的組合件。由圖見(jiàn)，在第一電極12和第二疊加電極23的外側(cè)分別通過(guò)高溫錫焊焊合有大小與第一電極12、第二疊加電極23相同、厚度與第一電極12、第二疊加電極23相等的第一、第二插腳3、4，不言而喻，第一、第二插腳3、4是用來(lái)與在上面已提及的通信設(shè)備，如程控交換機(jī)、雷達(dá)系統(tǒng)等設(shè)備的電路連接。在本實(shí)施例中，推薦的第一、第二插腳3、4上所窄縮延伸出的第一、第二插腳接線(xiàn)耳31、41為直條狀。

實(shí)施例2：