[實用新型]MOS型過溫保護電路無效
| 申請號: | 200720036138.2 | 申請日: | 2007-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN201038745Y | 公開(公告)日: | 2008-03-19 |
| 發明(設計)人: | 易揚波;陶平 | 申請(專利權)人: | 無錫博創微電子有限公司 |
| 主分類號: | H02H7/20 | 分類號: | H02H7/20 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 | 代理人: | 樓高潮 |
| 地址: | 214028江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mos 保護 電路 | ||
技術領域
本實用新型涉及模擬集成電路中需要對電路溫度進行檢測和保護的MOS型過溫保護保護電路。
背景技術
在電源器件、驅動電路等集成電路中,經常將過溫保護電路集成在芯片內部,以提高芯片的可靠性。
圖1是傳統的過溫保護電路。它由電阻R1、R2,晶體管Q1、Q2,電流源I1、12,以及反向器U1、U2形成。該電路的溫度采樣電路由R1、R2、Q1和電流源I1形成,Q1的VBE是一個PN結壓降,其溫度特性:溫度每升高1℃,正向壓降減小2mv左右。正常情況下,R1和R2上形成壓降VR1+R2小于VR1,此時過溫信號輸出為低,Q2打開,因此,此時VR1+R2等于VR1。當溫度上升到過溫點時,VBE等于VR1,Q1開通,過溫信號輸出為高,Q2關閉,此時VR1+R2等于VR1加VR2。因此,即使溫度下降到過溫點時,過溫輸出信號仍然保持為零。只有當溫度下降到使VBE小于VR1+R2,電路才會重新進入正常工作狀態,溫度窗口的存在降低了發生熱振蕩的幾率。
對于MOS集成電路來說,三極管的實現非常的困難,并且由于采樣電阻在生產過程存在偏差(10~20%),導致過溫點出現較大誤差。目前,還沒有很好的辦法解決這些問題。
發明內容
本實用新型的目的在于提供一種MOS型過溫保護電路。它不使用電阻和三極管,提高過溫保護的精度,能應用于普通MOS工藝。
本實用新型提供的一種MOS型過溫保護電路,包含過溫保護電路,其特征在于:在該電路上連接有由一個NMOS管(M1)和一個二極管(D1)連接而成溫度信號采樣電路;
在上述的MOS型過溫保護電路,還包括一與所述過溫保護電路相連的窗口形成電路;窗口形成電路由兩個NMOS管(M3、M4)和反向器(A1)連接而成。
采用本實用新型的技術方案,具有以下優點:第一,本方案比使用采樣電阻的傳統電路的溫度信號采樣精度更高,它完全消除了過溫保護電路對采樣電阻精度的要求;第二,本方案過溫點和窗口的設計與MOS管的閾值電壓不相關,因此過溫保護的精度相對普通的過溫保護電路有了很大改善;第三,本方案簡化了工藝實現,因為該電路不使用三極管,因此不需使用BiCMOS,故能廣泛應用于普通MOS集成電路中。
附圖說明:
圖1是傳統的過溫保護電路圖
圖2是本實用新型溫度信號采樣電路圖
圖3是本實用新型窗口形成電路圖
圖4是本實用新型過溫保護電路圖
具體實施方式
圖2是本實用新型的溫度信號采樣電路,它由一個NMOS管(M1)和一個二極管(D1)連接而成。M1的柵漏短接,連接到電流源I1,M1的源極接到D1的正極,D1的負極接地。
本實用新型中M1的寬長比設計得很大,同時選擇合適的電流源11,使得M1的過驅動電壓很小,相對其閾值電壓來說可以忽略,此時N1點電壓可以近似用下式表示:
VN1=VTH+VD1
上式中VD1為一個PN結壓降,常溫下,VD1約為700毫伏,溫度每升高1℃,VD1減小2mv左右。可以看出,VN1是一個隨溫度線性變化的電壓。
圖4中選擇合適的12,同時選擇寬長比遠遠小于M1的M2,保證M2常溫下開啟,M2的開啟電壓包含閾值電壓Vth和額外電壓△V開啟。可以看出,只要△V開啟小于VD1。M2保持開啟,過溫信號輸出為低。此時M3和M4的柵電壓都為高,M3和M4都開啟。所以,12的電流分配給M2和M3兩路。當溫度上升到過溫點時,△V開啟開始大于VD1,M2關閉,過溫輸出信號為低,M3和M4也進入關閉狀態。溫度采樣及過溫點設定不涉及電阻和三極管,同時與MOS管的閾值電壓不相關,因此過溫點的精度相對常見的過溫保護電路有了很大改善。
圖3是本實用新型的窗口形成電路圖。它由兩個NMOS管(M3、M4)和反向器(A1)連接而成。M3與圖2中M1的柵極短接,其漏極與M4的源極短接。反向器A1的輸入與M4的漏極短接,然后連接到圖2中M1的漏極,反向器輸出與M4的柵極短接,然后連接過溫信號輸出點。進入過溫保護態后,M3和M4先后關閉,從圖3可以看出,M3的開通,必須保證其柵電壓大于其開啟電壓,同時M4必須開通。M4要開通,M1必須先開通。因此,重新進入正常狀態的開通時序是:M1→M4→M3。可以看出重新進入正常狀態瞬間,I1全部流過M1,而不是分別流過M1和M3。因此M1的△V開啟2比進入過溫保護時要高,也就是說,溫度必須下降到比過溫點更低,△V開啟2開始大于VD1,電路重新回復到正常狀態。電路恢復正常工作的的溫度小于電路進入過溫保護,這個溫度差就是溫度窗口,窗口的存在減小了發生熱振蕩的幾率。本發明設計的窗口形成電路同樣不涉及到電阻,對窗口精度的提高有很大的改善。
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