[實用新型]溝槽高壓P型金屬氧化物半導體管

無效

• 申請號: 200720035523.5
• 申請日: 2007-03-30
• 公開（公告）號: CN201038163Y
• 公開（公告）日: 2008-03-19
• 發明（設計）人: 孫偉鋒;劉俠;戈喆;易揚波;陸生禮;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 陸志斌

1.一種溝槽高壓P型金屬氧化物半導體管，其特征在于包括兼做襯底的P型漏區(1)，在P型漏區(1)上設有P型外延(2)，在P型外延(2)上設有N型阱(3)，在N型阱(3)上設有P型源區(4)和N型接觸孔(5)，在N型阱(3)及P型外延(2)內設有溝槽(6)，在溝槽(6)內填充有二氧化硅(8)，在溝槽(6)內還設有多晶硅柵(9)且多晶硅柵(9)的位置高度與N型阱(3)的高度相對應，在溝槽(6)的周圍設有N型區，在多晶硅柵(9)與N型阱(3)之間設有柵氧化層(11)，在多晶硅柵(9)及P型源區(4)的上方覆有二氧化硅(10)，在P型源區(4)及N型接觸孔(5)上連接有鋁引線(12)。

2.根據權利要求1所述的溝槽高壓P型金屬氧化物半導體管，其特征在于N型區為N型環(72)且該N型環(72)位于溝槽(6)的側壁上。

3.根據權利要求1或2所述的溝槽高壓P型金屬氧化物半導體管，其特征在于N型區為N型底(71)且該N型底(71)位于溝槽(6)的端部。