[實用新型]一種ZnO MSM結構的紫外光電導探測器無效
| 申請號： | 200720031739.4 | 申請日： | 2007-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN201060051Y | 公開（公告）日： | 2008-05-14 |
| 發明（設計）人： | 張景文;邊旭明;畢臻;徐慶安;楊曉東;侯洵 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學 |
| 主分類號： | G01J1/44 | 分類號： | G01J1/44 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 | 代理人： | 李鄭建 |
| 地址： | 710049*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 zno msm 結構 紫外光 電導 探測器 | ||
【權利要求書】：
1.一種ZnO?MSM結構的紫外光電導探測器，其特征在于，包括一襯底，該襯底上沉積有ZnO薄膜層，在ZnO薄膜層上刻有作為歐姆接觸的叉指電極圖形，所述的叉指電極的對數為30～50，叉指電極的間距和指寬分別為10μm和30μm，叉指電極圖形上還沉積有Al層或透明導電薄膜ITO層。
2.如權利要求1所述的ZnO?MSM結構的紫外光電導探測器，其特征在于，所述的襯底材料為SiO2/Si、石英玻璃或藍寶石。
3.如權利要求1所述的ZnO?MSM結構的紫外光電導探測器，其特征在于，所述的ZnO薄膜厚度約150nm～500nm。
4.如權利要求1所述的ZnO?MSM結構的紫外光電導探測器，其特征在于，所述的Al層或透明導電薄膜ITO層的厚度為200nm～300nm。
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