[實用新型]一種復合太陽電池無效
| 申請號: | 200720011669.6 | 申請日: | 2007-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN201038169Y | 公開(公告)日: | 2008-03-19 |
| 發明(設計)人: | 王賀權;欽蘭云;朱文祥;尚曉峰;楊光 | 申請(專利權)人: | 沈陽航空工業學院 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/052 |
| 代理公司: | 沈陽維特專利商標事務所 | 代理人: | 甄玉荃 |
| 地址: | 110136遼寧省沈陽市新城子*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 復合 太陽電池 | ||
技術領域:本實用新型涉及一種太陽能電池,尤其是一種復合太陽電池,屬于新能源利用領域。
背景技術:隨著全球人口的增長和經濟的快速發展,能源緊張和環境污染問題日益突出。現有的化石能源是不可再生能源,在可以預見的將來會面臨開采枯竭問題,而太陽能是取之不盡、用之不竭的清潔能源。因此,研究利用可再生能源特別是太陽能對解決能源危機和環境保護,對人類社會的可持續發展具有重要意義。
自1839年,貝克勒爾(Becquerel)首次報道在電解質中發現了光生伏打效應后,人類邁出了太陽電池研究的第一步。1883年美國發明家Charles?Fritts制成了硒的光生伏打電池。1904年德國物理學家愛因斯坦建立了固體能帶理論,第一次論證了利用太陽電池可以把太陽能直接轉換成電能。1954年D.M.Chapin等人在貝爾實驗室首次研制成了光電轉換效率為6%的單晶硅太陽電池,從而誕生了實用的光伏發電技術,并出現了現有硅電池的第一代產品。1955年以后太陽電池無論在理論上或實際制造上都有了飛速的發展。1958年在“先鋒”號人造衛星上首次應用了單晶硅太陽電池。從1956年開始,又陸續研制成了硫化鎘(CdS)太陽電池、硫化銅-硫化鎘(Cu2S-CdS)太陽電池和砷化鎵(GaAs)太陽電池,此后十多年,太陽電池主要應用于太空。1973年世界爆發了第一次能源危機,使人們清醒地認識到地球上化石能源儲藏及供給的有限性,客觀上要求人們必須尋找其它可替代的能源技術,改變現有的以使用單一化石能源為基礎的能源供給結構。為此,以美國為首的西方發達國家紛紛投入大量人力、物力和財力支持太陽電池的研究和發展,同時在以亟待解決的與化石能源燃燒有關的大氣污染、溫室效應等環境問題的促使下,在全世界范圍內掀起了開發利用太陽能的熱潮,也由此拉開了地面應用太陽電池的序幕。
雖然太陽能是一種清潔、無污染的綠色能源,但是對于大面積應用還受到兩個主要瓶頸的限制:一、成本;二、效率。盡管硅太陽電池已經從大約10000美元/瓦降到了目前的5美元/瓦,但還是很難讓人們接受。為此,人們研制開發了其他廉價材料的太陽電池,其中包括非晶硅薄膜太陽電池、多晶硅薄膜太陽電池、銅銦硒(CIS)、砷化鎵和硫化鎘薄膜電池、有機太陽電池和塑料電池,但是效率都很低,很難商業化應用。按照目前的理論太陽電池的能量轉換效率不超過30%,到目前為止只有澳大利亞新南威爾士大學趙建華在實驗室中實現了4cm2的PERL硅電池轉換效率為24.7%的世界最高紀錄,而商業化的電池也只有百分之十幾。因此,高效太陽電池是當今的一個熱點研究方向。
發明內容:針對上述現有技術的不足,本實用新型提供了一種高效的復合太陽電池。
為實現上述目的,本實用新型采用的技術方案是:一種復合太陽電池,由凸透鏡(1)、三棱鏡(2)、復合太陽電池(3)和底座(5)組成。凸透鏡(1)、三棱鏡(2)和復合太陽電池(3)固定在底座(5)上。凸透鏡(1)和三棱鏡(2)處于復合太陽電池(3)前。復合電池(3)由七塊太陽電池組成。
太陽光通過凸透鏡聚光,以增強光的強度,再通過三棱鏡的折射將復色光分解成單色光照到復合電池上。本實用新型將太陽光進行了分解,使各單色光與相應的光電轉換效率高的材料相對應,這樣本實用新型的電池對可見光的光電轉換效率是最高的。
附圖說明:
圖1是本實用新型的結構示意圖。
圖2是本實用新型的工作原理圖。
圖3是實施例的工作原理圖。
具體實施方式:
如圖1所示:一種復合太陽電池,由凸透鏡1、三棱鏡2、復合太陽電池3和底座5組成。凸透鏡1、三棱鏡2和復合太陽電池3固定在底座5上。凸透鏡1和三棱鏡2處于復合太陽電池3前。復合電池3由七塊太陽電池組成。
如圖2所示,太陽光4通過凸透鏡1聚光,以增強光的強度,再通過三棱鏡2的折射將復色光分解成單色光照到復合電池3上。調整三棱鏡2與復合電池3的距離使紅、橙、黃、綠、青、藍、紫各單色光的寬度與相應太陽能電池材料的寬度相匹配。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





