[發明專利]不銹鋼基底上沉積類金剛石碳薄膜的方法無效
| 申請號: | 200710308579.8 | 申請日: | 2007-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN101469408A | 公開(公告)日: | 2009-07-01 |
| 發明(設計)人: | 張俊彥;王舟;王成兵;王琦 | 申請(專利權)人: | 中國科學院蘭州化學物理研究所 |
| 主分類號: | C23C16/27 | 分類號: | C23C16/27;C23C16/513;B08B3/12 |
| 代理公司: | 蘭州中科華西專利代理有限公司 | 代理人: | 方曉佳 |
| 地址: | 730000甘肅*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 不銹鋼 基底 沉積 金剛石 薄膜 方法 | ||
1、一種不銹鋼基底上沉積類金剛石碳薄膜的方法,采用等離子體增強化學氣相沉積技術;其特征在于包括以下步驟:
(1)將預先清潔后的不銹鋼片放入丙酮、乙醇中超聲清洗,然后轉移至真空腔,放置在下部的基底盤上,基底盤和負偏壓電源相連;
(2)抽真空直到腔內真空度小于2.0×10-3Pa;
(3)通入氬氣(20sccm),在脈沖偏壓800伏特,導通比0.6的條件下進行等離子體清洗30分鐘,用以除去表面殘留的雜質和污染物;
(4)通入甲烷(10.3sccm)和氫氣(20sccm),在脈沖偏壓1000伏特、沉積氣壓13帕、導通比0.6的條件下鍍膜。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





