[發(fā)明專利]薄膜成膜方法、薄膜成膜裝置和薄膜成膜過程的監(jiān)視方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710308101.5
• 申請日: 2003-09-26
• 公開（公告）號: CN101230452A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發(fā)明（設計）人: 掛村敏明;鹿島浩人;十野學
• 申請（專利權）人: 凸版印刷株式會社
• 主分類號: C23C16/04
• 分類號: C23C16/04;C23C16/52
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 高龍鑫

1.一種薄膜成膜過程的監(jiān)視方法，其特征在于：

使有機硅化合物氣體和具有氧化力的氣體的混合氣體等離子化，在基材表面使氧化硅薄膜成膜時，

測定從等離子體放射出的氫α射線強度與氧射線強度，

對這些氫α射線強度與氧射線強度，與事先測定的、獲得所需膜質的氧化硅薄膜時的氫α射線強度與氧射線強度進行比較，

判定所需膜質的氧化硅薄膜是否成膜。

2.權利要求1所述的薄膜成膜過程的監(jiān)視方法，其特征在于，氫α射線強度與氧射線強度的測定，是通過從等離子體放射出的射線中取出特定波長范圍的射線測定其強度的方式進行。

3.權利要求1所述的薄膜成膜過程的監(jiān)視方法，其特征在于，氫α射線強度與氧射線強度的測定，是通過測定從等離子體放射出的射線中，波長處于656±5納米范圍內的射線強度，和波長處于777±5納米范圍內的射線強度的方式進行。

4.一種薄膜成膜裝置，其特征在于，具有：

使有機硅化合物氣體和具有氧化力的氣體的混合氣體等離子化，在基材表面使氧化硅薄膜成膜的成膜腔室、

測定從成膜腔室內的等離子體放射出的氫α射線強度與氧射線強度的測定裝置、

對事先測定的、獲得所需膜質的氧化硅薄膜時的氫α射線強度與氧射線強度進行記憶的記憶裝置、和

對測定裝置所測定的氫α射線強度與記憶裝置所記憶的氫α射線強度進行比較，對測定裝置所測定的氧射線強度與記憶裝置所記憶的氧射線強度進行比較，判定所測定的氫α射線強度與氧射線強度是否處于所定范圍內的判定裝置。

5.權利要求4所述的薄膜成膜裝置，其特征在于，所述測定裝置，具有從成膜腔室內的等離子體中放射出的射線中僅取出特定波長范圍射線的帶通濾波器。

6.權利要求4所述的薄膜成膜裝置，其特征在于，所述測定裝置具有使656±5納米范圍以外波長射線的透過率為1％或其以下的第一帶通濾波器、使777±5納米范圍波長射線的透過率為1％或其以下的第二帶通濾波器、接收通過第一帶通濾波器的射線的第一光量傳感器、和接收通過第二帶通濾波器的射線的第二光量傳感器。