[發明專利]表面接著型薄膜保險絲結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200710307814.X
• 申請日: 2007-12-28
• 公開（公告）號: CN101471208A
• 公開（公告）日: 2009-07-01
• 發明（設計）人: 顏瓊章
• 申請（專利權）人: 顏瓊章
• 主分類號: H01H85/04
• 分類號: H01H85/04;H01H69/02
• 代理公司: 北京申翔知識產權代理有限公司
• 代理人: 周春發

1.一種表面接著型薄膜保險絲結構的制造方法，包含有下列步驟：

A、提供一絕緣基材；

B、于該絕緣基材至少一面上設置間隔層，該間隔層設置于欲形成熔鏈部的部位；

C、設置銅層，于該絕緣基材設置有間隔層一面，全面覆蓋有銅層；

D、于該銅層上涂布光阻，并進行曝光、顯影、蝕刻，使該銅層形成熔絲線路架構，該熔絲線路架構包含有兩個相對應的電極部，以及連接兩個電極部的熔鏈部；

E、去除間隔層，使該熔鏈部與絕緣基材間形成有至少一空間。

2.如權利要求1所述表面接著型薄膜保險絲結構的制造方法，其中，該間隔層可以為光阻材料，于步驟E中去除間隔層將熔絲線路架構上剩余的光阻以及該間隔層一同去除。

3.如權利要求2所述表面接著型薄膜保險絲結構的制造方法，其中，該去除間隔層利用化學溶劑將光阻去除。

4.如權利要求2所述表面接著型薄膜保險絲結構的制造方法，其中，該步驟E后進一步包含有步驟F，該步驟F為設置錫層，于該熔鏈部的表面中間部位設有錫層，該步驟F后進一步包含有步驟G，該步驟G為設置鎳層、錫層，于該電極部的表面依序設有鎳層、錫層，該步驟G后進一步包含有步驟H，該步驟H為設置保護層，于該熔絲線路架構的熔鏈部處設有保護層，而其中，該步驟F中于該熔鏈部與錫層上方進一步設有第二間隔層，該第二間隔層可以為熔點低于錫層的熱熔材料，并于步驟H設置保護層后進行加熱方式將該第二間隔層去除。

5.如權利要求4所述表面接著型薄膜保險絲結構的制造方法，其中，該步驟F與步驟G之間進一步包含有步驟I，該步驟I為設置導電部，該絕緣基材兩側邊設有將兩個板面相對應的電極部相連接的導電部。

6.如權利要求1所述表面接著型薄膜保險絲結構的制造方法，其中，該間隔層可以為熱熔材料，于步驟E中去除間隔層利用加熱方式將該間隔層去除，再利用化學溶劑將熔絲線路架構上剩余的光阻去除。

7.如權利要求6所述表面接著型薄膜保險絲結構的制造方法，其中，該步驟D與步驟E之間進一步包含有步驟F，該步驟F為設置錫層，于該熔鏈部的表面中間部位設有錫層，且該間隔層的熔點低于錫層的熔點。

8.如權利要求7所述表面接著型薄膜保險絲結構的制造方法，其中，該步驟E后進一步包含有步驟G，該步驟G為設置鎳層、錫層，于該電極部的表面依序設有鎳層、錫層，該步驟G后進一步包含有步驟H，該步驟H為設置保護層，于該熔絲線路架構的熔鏈部處設有保護層，其中，該步驟F中于該熔鏈部與錫層上方進一步設有第二間隔層，該第二間隔層可以為熔點低于錫層的熱熔材料，并于步驟H設置保護層后進行加熱方式將該第二間隔層去除。

9.如權利要求8所述表面接著型薄膜保險絲結構的制造方法，其中，該步驟F與步驟G之間進一步包含有步驟I，該步驟I為設置導電部，該絕緣基材兩側邊設有將兩個板面相對應的電極部相連接的導電部。

10.如權利要求1所述表面接著型薄膜保險絲結構的制造方法，其中，該間隔層可以為耐水洗材料，于步驟E中去除間隔層利用高壓水洗方式將該間隔層去除，再利用化學溶劑將熔絲線路架構上剩余的光阻去除。

11.如權利要求10所述表面接著型薄膜保險絲結構的制造方法，其中，該步驟E后進一步包含有步驟F，該步驟F為設置錫層，于該熔鏈部的表面中間部位設有錫層，該步驟F后進一步包含有步驟G，該步驟G為設置鎳層、錫層，于該電極部的表面依序設有鎳層、錫層，該步驟G后進一步包含有步驟H，該步驟H為設置保護層，于該熔絲線路架構的熔鏈部處設有保護層，其中，該步驟F中于該熔鏈部與錫層上方進一步設有第二間隔層，該第二間隔層可以為熔點低于錫層的熱熔材料，并于步驟H設置保護層后進行加熱方式將該第二間隔層去除。

12.如權利要求11所述表面接著型薄膜保險絲結構的制造方法，其中，該步驟F與步驟G之間進一步包含有步驟I，該步驟I為設置導電部，該絕緣基材兩側邊設有將兩個板面相對應的電極部相連接的導電部。