[發明專利]非易失性存儲系統和相關編程方法

有效

• 申請號: 200710307784.2
• 申請日: 2007-10-19
• 公開（公告）號: CN101202109A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 崔珍赫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/10;G11C29/44
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 邵亞麗

1.一種非易失性半導體存儲系統，包括：

包括多個多位存儲單元的一存儲陣列；和

一存儲控制器，包括：

一緩沖存儲器，用于存儲在多個存儲單元中所選存儲單元中已編程的j-位數據；

一修復存儲器，用于保存從所選存儲單元中讀取的i-位數據；

一失敗位置檢測器，用于根據從所選存儲單元讀取的j-位數據和緩沖存儲器中存儲的j-位數據之間的比較確定i-位數據中的位錯誤的位置；和

一修復單元，用于修復在修復存儲器中保存的i-位數據中的位錯誤。

2.根據權利要求1所述的系統，其中緩沖存儲器具有比修復存儲器更大的容量。

3.根據權利要求1所述的系統，其中存儲控制器進一步包括用于執行比較的比較器。

4.根據權利要求1所述的系統，其中存儲控制器進一步包括用于糾正i-位數據中錯誤的錯誤糾正單元。

5.根據權利要求1所述的系統，其中存儲控制器進一步包括用于糾正i-位數據中錯誤的錯誤糾正電路。

6.根據權利要求1所述的系統，其中失敗位置檢測器關于多位存儲單元的單元加擾確定位錯誤的位置。

7.根據權利要求1所述的系統，其中i-位數據和j-位數據都包括數據頁或塊。

8.根據權利要求1所述的系統，其中存儲陣列包括NAND閃存陣列。

9.一種非易失性半導體存儲系統，包括：

第一至第n存儲芯片，每個包括多個多位非易失性存儲單元；和一存儲控制器，包括：

第一至第m緩沖存儲器，每個用于保存在第一至第n存儲芯片內的多個多位非易失性存儲單元中所選存儲單元中編程的j-位數據；

和第一至第p修復存儲器，用于保存在所選存儲單元中保存的i-位數據；

一失敗位置檢測器，用于根據從所選存儲單元讀取的j-位數據和緩沖存儲器中存儲的j-位數據之間的比較，來確定i-位數據中的位錯誤的位置；和

一修復單元，用于修復在修復存儲器中保存的i-位數據中的位錯誤。

10.根據權利要求9所述的系統，其中n和m都大于1以及第一至第p修復存儲器包括單個修復存儲器。

11.根據權利要求9所述的系統，其中第一至第m緩沖存儲器和第一至第p修復存儲器包括單個存儲芯片的不同區域。

12.根據權利要求9所述的系統，其中n等于m。

13.根據權利要求9所述的系統，其中存儲控制器進一步包括用于執行比較的比較器。

14.根據權利要求9所述的系統，其中存儲控制器進一步包括用于糾正i-位數據中錯誤的錯誤糾正單元。

15.根據權利要求9所述的系統，其中存儲控制器進一步包括用于糾正i-位數據中錯誤的錯誤糾正電路。

16.根據權利要求9所述的系統，其中失敗位置檢測器關于多位存儲單元的單元加擾確定位錯誤的位置。

17.根據權利要求9所述的系統，其中i-位數據和j-位數據都包括數據頁或塊。

18.根據權利要求9所述的系統，其中一個或多個第一至第n存儲芯片包括NAND閃存芯片。

19.一種在多位非易失性半導體存儲系統中執行編程操作的方法，所述多位非易失性存儲系統包括包含多個多位存儲單元的一存儲陣列和一存儲控制器，該方法包括：

在存儲陣列的所選存儲單元中編程i-位數據；

在存儲控制器中保存j-位數據；

編程所選存儲單元中的j-位數據；

確定在所選存儲單元中是否成功編程j-位數據；

一旦確定在所選存儲單元中沒有成功編程j-位數據，則比較所選存儲單元中保存的j-位數據和存儲控制器中保存的j-位數據；

根據比較，確定所選存儲單元中存儲的i-位數據的至少一個位錯誤的位置；以及

修復i-位數據中至少一個位錯誤。

20.根據權利要求19所述的方法，進一步包括：

一旦確定在所選存儲單元中成功編程j-位數據，則終止編程操作。