[發明專利]ZnO二極管及其形成方法

無效

• 申請號: 200710307771.5
• 申請日: 2007-12-13
• 公開（公告）號: CN101202314A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 姜東勛;宋利憲;金昌楨;樸永洙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/872;H01L29/12;H01L29/43;H01L21/329
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 宋莉

1.一種ZnO型二極管，包括：

彼此分開的第一電極和第二電極；和

位于第一電極和第二電極之間的有源層，所述有源層由M_XIn_1-XZnO形成，其中，M為第III族金屬，

其中，該第一電極的功函數低于該有源層的功函數，且該第二電極的功函數高于該有源層的功函數。

2.權利要求1的ZnO型二極管，其中所述第III族金屬為選自鎵(Ga).鋁(Al)、鈦(Ti)及其組合中的至少一種。

3.權利要求2的ZnO型二極管，其中x為0.2到0.8。

4.權利要求1的ZnO型二極管，其中，所述第一電極由包括金屬的材料形成。

5.權利要求4的ZnO型二極管，其中，所述金屬選自鈦(Ti)、鋁(Al)、鈣(Ca)、鋰(Li)及其組合。

6.權利要求1的ZnO型二極管，其中，所述第二電極由包括金屬的材料形成。

7.權利要求6的ZnO型二極管，其中，所述金屬選自鉑(Pt)、鉬(Mo)、鎢(W)、銥(Ir)及其組合。

8.一種ZnO型二極管，包括：

由M_XIn_1-XZnO形成的有源層，其中，M為第III族金屬，和

位于該有源層上的彼此分開的第一電極和第二電極，

其中，該第一電極的功函數低于該有源層的功函數，且該第二電極的功函數高于該有源層的功函數。

9.權利要求8的ZnO型二極管，其中，所述第III族金屬為選自鎵(Ga)、鋁(Al)、鈦(Ti)及其組合中的至少一種。

10.權利要求9的ZnO型二極管，其中x為0.2到0.8。

11.權利要求8的ZnO型二極管，其中，所述第一電極由包括金屬的材料形成。

12.權利要求11的ZnO型二極管，其中，所述金屬選自鈦(Ti)、鋁(Al)、鈣(Ca)、鋰(Li)及其組合。

13.權利要8的ZnO型二極管，其中，所述第二電極由包括金屬的材料形成。

14.權利要求13的ZnO型二極管，其中，所述金屬選自鉑(Pt)、鉬(Mo)、鎢(W)、銥(Ir)及其組合。

15.一種形成ZnO型二極管的方法，包括：

形成彼此分開的第一電極和第二電極；和

形成與所述第一電極和第二電極接觸的有源層，所述有源層由M_XIn_1-XZnO形成，其中，M為第III族金屬，

其中，所述第一電極的功函數低于該有源層的功函數，且該第二電極的功函數高于該有源層的功函數。

16.權利要求15的方法，其中，所述有源層形成于所述第一電極和第二電極之間。

17.權利要求15的方法，其中，所述第III族金屬為選自鎵(Ga)、鋁(Al)、鈦(Ti)及其組合中的至少一種。

18.權利要求17的方法，其中x為0.2到0.8。

19.權利要求15的方法，其中，所述第一電極和第二電極均形成在所述有源層上。

20.權利要求19的方法，其中，所述第III族金屬為選自鎵(Ga)、鋁(Al)、鈦(Ti)及其組合中的至少一種。

21.權利要求20的方法，其中x為0.2到0.8。