[發(fā)明專利]一種感光性導(dǎo)電漿料的制備方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710307725.5 | 申請(qǐng)日: | 2007-12-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101226862A | 公開(公告)日: | 2008-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張志剛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 彩虹集團(tuán)公司 |
| 主分類號(hào): | H01J9/02 | 分類號(hào): | H01J9/02;H01B1/00;C08F2/50;G03F7/028;G03F7/032 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 張震國 |
| 地址: | 71202*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 感光性 導(dǎo)電 漿料 制備 方法 | ||
1.一種感光性導(dǎo)電漿料的制備方法,其特征在于:
1)首先按質(zhì)量份數(shù)將1.5-2份的光聚合引發(fā)劑,0.2-1份的增感劑,6-8份的感光性活性單體,10-15份的丙烯酸類粘合劑,1-4份的具有電光效應(yīng)的有機(jī)材料和11.5-8.5份的惰性溶劑加熱到50℃攪拌混合均勻制成有機(jī)溶劑;
2)然后按質(zhì)量百分比將80-95%的Ag粉和5-20%的低熔點(diǎn)玻璃粉混合制成無機(jī)粉末;
3)最后按質(zhì)量百分比將50-80%的無機(jī)粉末和20-50%的有機(jī)溶劑攪拌混合,之后在三軸輥軋機(jī)上混合均勻得到感光性導(dǎo)電漿料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光性導(dǎo)電漿料的制備方法,其特征在于:所說的光聚合引發(fā)劑為噻噸酮類化合物、苯偶姻衍生物、苯偶酰縮酮衍生物、苯乙酮衍生物、芳香酮衍生物中的一種或一種以上的混合物;
所說的噻噸酮類化合物為異丙基硫雜蒽酮、2-氯代硫雜蒽酮或二乙基硫雜蒽酮;
苯偶姻衍生物為苯偶姻乙醚或苯偶姻乙丁醚;
苯偶酰縮酮衍生物為安息香二甲醚或安息香二丁醚;
苯乙酮衍生物為二氯代苯乙酮或二乙氧基苯乙酮;
芳香酮衍生物為二苯甲酮、異丙基硫雜蒽酮或4,4‘-二甲胺二苯甲酮。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光性導(dǎo)電漿料的制備方法,其特征在于:所說的增感劑為三乙醇胺、甲基二乙醇胺、4-二甲氨基-苯甲酸乙酯、二甲氧基蒽醌或2,4-二乙基噻噸酮中的一種或一種以上的混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光性導(dǎo)電漿料的制備方法,其特征在于:所說的感光性活性單體為一個(gè)分子中含有一個(gè)碳-碳雙鍵的化合物或含有兩個(gè)或兩個(gè)以上碳-碳雙鍵的化合物;
其中一個(gè)分子中含有一個(gè)碳-碳雙鍵的化合物為苯乙烯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸丁酯或丙烯酸苯氧基乙酯;
含有兩個(gè)或兩個(gè)以上碳-碳雙鍵的化合物為二縮三丙二醇丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯或三羥甲基丙烷三丙烯酸酯。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光性導(dǎo)電漿料的制備方法,其特征在于:所說的丙烯酸類粘合劑為可在堿液中溶解的聚甲基丙烯酸、聚乙基丙烯酸或甲基丙烯酸與甲基丙烯酸甲酯的共聚物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光性導(dǎo)電漿料的制備方法,其特征在于:所說的具有電光效應(yīng)的有機(jī)材料為對(duì)氨基偶氮苯類化合物、硝基苯類化合物、氰基苯類化合物、醛基苯類化合物中的一種或一種以上的混合物;
對(duì)氨基偶氮苯類化合物為對(duì)二甲氨基偶氮苯甲酸、對(duì)二甲氨基偶氮苯乙酸或?qū)Χ装被嫉郊兹?/p>
硝基苯類化合物為2,4-二氟硝基苯或3,4-二氟硝基苯;
氰基苯類化合物為乙基聯(lián)苯氰、丙基聯(lián)苯氰、丁基聯(lián)苯氰、戊基聯(lián)苯氰、庚基聯(lián)苯氰或辛基聯(lián)苯氰;
醛基苯類化合物為對(duì)二甲胺基苯甲醛、對(duì)硝基苯甲醛或?qū)κ宥』郊兹?/p>
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光性導(dǎo)電漿料的制備方法,其特征在于:所說的惰性溶劑為三丙二醇單甲醚、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇單異丁酸酯、丁基卡必醇或丁基卡必醇乙酸酯。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光性導(dǎo)電漿料的制備方法,其特征在于:所說的Ag粉的粒徑為0.5~5μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光性導(dǎo)電漿料的制備方法,其特征在于:所說的低熔點(diǎn)玻璃粉的粒徑為0.4~3μm,軟化點(diǎn)為440~520℃。
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