[發明專利]絕緣膜研磨劑組合物及半導體集成電路的制造方法無效
| 申請號： | 200710307391.1 | 申請日： | 2003-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN101230250A | 公開（公告）日： | 2008-07-30 |
| 發明（設計）人： | 真丸幸惠;神谷廣幸;林篤;次田克幸 | 申請（專利權）人： | 旭硝子株式會社;清美化學股份有限公司 |
| 主分類號： | C09K3/14 | 分類號： | C09K3/14;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人： | 胡燁 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣 研磨劑 組合 半導體 集成電路 制造 方法 | ||
1.研磨劑組合物，它是對在半導體集成電路中使用的由具有C-Si鍵和Si-O鍵的有機硅材料形成的絕緣膜進行研磨的研磨劑組合物，其特征在于，包含水、以及選自La(OH)3、Nd(OH)3、Pr(OH)3、CeLa2O3F3和氧化鈰以外的稀土類氧化物的1種以上的特定稀土類化合物的粒子。
2.如權利要求1所述的研磨劑組合物，其特征還在于，前述氧化鈰以外的稀土類氧化物為選自La2O3、Nd2O3及Pr6O11的任1種。
3.如權利要求1或2所述的研磨劑組合物，其特征還在于，還包含氧化鈰粒子。
4.如權利要求3所述的研磨劑組合物，其特征還在于，氧化鈰和經過氧化物換算的前述特定稀土類化合物的質量比在99∶1～1∶99的范圍內。
5.半導體集成電路的制造方法，其特征在于，具備用包含水、以及選自La(OH)3、Nd(OH)3、Pr(OH)3、CeLa2O3F3和氧化鈰以外的稀土類氧化物的1種以上的特定稀土類化合物的粒子的研磨劑組合物，對由具有C-Si鍵和Si-O鍵的有機硅材料形成的絕緣膜進行研磨的步驟。
6.如權利要求5所述的半導體集成電路的制造方法，其特征還在于，前述氧化鈰以外的稀土類氧化物為選自La2O3、Nd2O3及Pr6O11的任1種。
7.如權利要求5所述的半導體集成電路的制造方法，其特征還在于，前述研磨劑組合物還包含氧化鈰粒子。
8.如權利要求7所述的半導體集成電路的制造方法，其特征還在于，氧化鈰和經過氧化物換算的特定稀土類化合物的質量比在99∶1～1∶99的范圍內。
9.如權利要求5～8中任一項所述的半導體集成電路的制造方法，其特征還在于，具有C-Si鍵和Si-O鍵的有機硅材料具有Si-CH3鍵，其介電常數在1.0～3.5的范圍內，其C和Si的原子比在0.25～3的范圍內。
10.如權利要求9所述的半導體集成電路的制造方法，其特征還在于，絕緣膜覆蓋了銅配線層。
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