[發明專利]多層陶瓷基板有效
| 申請號: | 200710307201.6 | 申請日: | 2007-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN101209929A | 公開(公告)日: | 2008-07-02 |
| 發明(設計)人: | 宮內泰治;鈴木利幸;平川昌治;中村知子;宮越俊伸;畑中潔 | 申請(專利權)人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | C04B37/04 | 分類號: | C04B37/04 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多層 陶瓷 | ||
1.一種多層陶瓷基板,其特征在于:
在層疊有多層陶瓷基板層的層疊體的至少一側的表面上具有表面導體,
由所述陶瓷基板層中的陶瓷成分和所述表面導體中的玻璃成分發生反應而形成的反應相,在所述陶瓷基板層和所述表面導體的界面上析出。
2.根據權利要求1所述的多層陶瓷基板,其特征在于:
至少與所述表面導體接觸的陶瓷基板層由以Al2O3作為充填成分的玻璃陶瓷形成,同時所述表面導體含有Zn作為玻璃成分,
含有ZnAl2O4作為所述反應相。
3.根據權利要求2所述的多層陶瓷基板,其特征在于:
在與所述表面導體接觸的陶瓷基板層中至少與表面導體接觸的部分的Al2O3含量為32體積%以上、40體積%以下。
4.根據權利要求2所記述的多層陶瓷基板,其特征在于:
在與所述表面導體接觸的陶瓷基板層中至少與表面導體接觸的部分的Al2O3含量大于其他部分的Al2O3含量。
5.根據權利要求3所記述的多層陶瓷基板,其特征在于:
在與所述表面導體接觸的陶瓷基板層中至少與表面導體接觸的部分的Al2O3含量大于其他部分的Al2O3含量。
6.根據權利要求4所記述的多層陶瓷基板,其特征在于:
在與所述表面導體接觸的陶瓷基板層中,與表面導體接觸的一側的面上具有Al2O3含量為32體積%以上、40體積%以下的表面玻璃陶瓷層。
7.根據權利要求5所記述的多層陶瓷基板,其特征在于:
在與所述表面導體相連接的陶瓷基板層中,與表面導體接觸的一側的面上具有Al2O3含量為32體積%以上、40體積%以下的表面玻璃陶瓷層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于TDK株式會社,未經TDK株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710307201.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種雙卡移動電話找網優化方法
- 下一篇:制造半導體器件的方法





