[發明專利]半導體元件

無效

• 申請號: 200710307141.8
• 申請日: 2007-12-27
• 公開（公告）號: CN101330084A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發明（設計）人: 鄭鈞隆;鍾昇鎮;鄭光茗;莊學理;梁孟松
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/092;H01L29/78
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種半導體元件，其特征在于包括：

一核心元件，包括一高介電常數柵介電層形成于一應變硅通道區之上；以及

一輸入/輸出元件，其中該輸入/輸出元件包括一非高介電常數柵介電層。

2.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于其中所述的高介電常數柵介電層具有大于8的一介電常數。

3.根據權利要求1所述的半導體元件，更包括一電晶體。

4.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于其中所述的應變硅通道區包括一硅層形成在一硅-鍺層之上。

5.一種半導體元件，其特征在于包括：

一第一構件，包括一高介電常數柵介電層形成于一應變硅通道區之上，其中該應變硅通道區包括硅-鍺；以及

一第二構件，其中該輸入/輸出元件包括一非高介電常數介電層。

6.根據權利要求5所述的半導體元件，其特征在于其中所述的第一構件是一電晶體，具有一漏極區和一源極區，其中該漏極區和該源極區的每一者都具有一上方邊界延伸高過該高介電常數柵介電層。

7.根據權利要求5所述的半導體元件，其特征在于其中所述的第二構件包括一柵極結構，該柵極結構包含二氧化硅柵介電層。

8.根據權利要求5所述的半導體元件，更包一金屬柵極沉積于該高介電常數柵介電層上。