[發明專利]積層陶瓷電容器

無效

• 申請號: 200710307135.2
• 申請日: 2007-12-27
• 公開（公告）號: CN101246777A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 蔡聰智;魏厚弘
• 申請（專利權）人: 華新科技股份有限公司
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/232;H01G4/12;H01G4/008
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種積層陶瓷電容器，其包括堆棧體與設置在該堆棧體兩端的外端電極層，該堆棧體是由至少三介電層與至少二內電極層交互堆棧所構成，而各相鄰的內電極層是分別露出于堆棧體兩端，而該外端電極層是包括保護層以及導接層，該保護層是設置在該堆棧體兩端，而該導接層是以焊接的方式包覆于該保護層相對于堆棧體的另側，其特征在于：

該外端電極層包括一具有延展性及導電性的樹脂金屬層，其是設置在該堆棧體與保護層之間，而該樹脂金屬層是包覆在堆棧體兩端，并與該內電極層接觸。

2.如權利要求1所述的積層陶瓷電容器，其特征在于：該介電層為陶瓷層。

3.如權利要求1所述的積層陶瓷電容器，其特征在于：該內電極層是選自鎳、含鎳的合金、含鎳化合物及含鎳的有機復合材料。

4.如權利要求1所述的積層陶瓷電容器，其特征在于：該內電極層是選自銀、含銀的合金、含銀化合物及含銀的有機復合材料。

5.如權利要求1所述的積層陶瓷電容器，其特征在于：該內電極層是選自銅、含銅的合金、含銅化合物及含銅的有機復合材料。

6.如權利要求1所述的積層陶瓷電容器，其特征在于：該內電極層是選自鈀、含鈀的合金、含鈀化合物及含鈀的有機復合材料。

7.如權利要求1所述的積層陶瓷電容器，其特征在于：該保護層為鎳金屬保護層。

8.如權利要求1所述的積層陶瓷電容器，其特征在于：該導接層是錫金屬導接層。

9.如權利要求1至8任一項所述的積層陶瓷電容器，其特征在于：該樹脂金屬層是以熱固型樹脂與金屬的復合材料所制成。

10.如權利要求9所述的積層陶瓷電容器，其特征在于：該樹脂金屬層的厚度為0.1μm至800μm。

11.如權利要求9所述的積層陶瓷電容器，其特征在于：該樹脂金屬層的延展性為0.001～60％。

12.如權利要求9所述的積層陶瓷電容器，其特征在于：該金屬的比例是占整體樹脂金屬層的65wt％至95wt％。

13.如權利要求9所述的積層陶瓷電容器，其特征在于：該金屬是選自金、含金的合金、含金化合物及含金的有機復合材料。

14.如權利要求9所述的積層陶瓷電容器，其特征在于：該金屬是選自銀、含銀的合金、含銀化合物及含銀的有機復合材料。

15.如權利要求9所述的積層陶瓷電容器，其特征在于：該金屬是選自鎳、含鎳的合金、含鎳化合物及含鎳的有機復合材料。

16.如權利要求9所述的積層陶瓷電容器，其特征在于：該金屬是選自鈀、含鈀的合金、含鈀化合物及含鈀的有機復合材料。

17.如權利要求9所述的積層陶瓷電容器，其特征在于：該金屬是選自銅、含銅的合金、含銅化合物及含銅的有機復合材料。