[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710306554.4 | 申請日: | 2007-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN101236972A | 公開(公告)日: | 2008-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宋武炯;洪性珍;樸成珍 | 申請(專利權(quán))人: | LG.菲利浦LCD株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 孫海龍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜晶體管 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于顯示裝置的薄膜晶體管基板,更具體地說,涉及一種通過向薄膜晶體管基板的整個表面穩(wěn)定地施加一致的公共電壓而將顯示裝置在顯示圖像時的閃爍或殘留圖像最小化的薄膜晶體管基板。
背景技術(shù)
近來,諸如液晶顯示器(LCD)、PDP(等離子顯示板)、OLED(有機發(fā)光裝置)、電泳指示顯示器等的平板顯示裝置已發(fā)展為常規(guī)CRT的替代。
在眾多平板顯示裝置中,LCD因其相對CRT更薄、更輕且低能耗的優(yōu)點而被廣泛使用。
通常,LCD通過改變兩電極(像素電極和公共電極)間的電勢所產(chǎn)生的電場來控制液晶的排列狀態(tài),并根據(jù)液晶的排列狀態(tài)來控制透光率,從而顯示圖像。LCD包括液晶板,該液晶板包括具有濾色器的濾色器基板、具有多個薄膜晶體管(TFT)的TFT基板、以及位于濾色器基板和TFT基板之間的液晶層。
在此,TFT基板1包括用于顯示圖像的顯示區(qū)(a)和不顯示圖像的非顯示區(qū)(b)。顯示區(qū)(a)包括以矩陣形式形成的多個顯示像素P1以顯示圖像,并且非顯示區(qū)(b)包括用于保持濾色器基板和TFT基板1接合時的單元間隙的偽像素(dummy?pixel)P2。與位于顯示區(qū)(a)的顯示像素P1不同,不顯示圖像的偽像素P2不具有TFT,但具有與顯示像素P1相同的結(jié)構(gòu)。
在此,如圖1所示,TFT?1包括形成為彼此交叉的選通配線2和數(shù)據(jù)配線3。選通配線2包括大體上沿水平方向延伸的選通線2a,在選通線2a末端部分形成的選通焊盤(未示出),以及作為選通線2a的一部分而構(gòu)成TFT的柵極2b。柵極2b所形成的寬度大于選通線2a。數(shù)據(jù)配線3包括大體上沿垂直方向延伸的數(shù)據(jù)線3a和在數(shù)據(jù)線3a末端形成的數(shù)據(jù)焊盤3b。選通線2a和數(shù)據(jù)線3a交叉的區(qū)域被限定為像素。例如,如圖1所示,具有IPS(板內(nèi)切換)結(jié)構(gòu)的像素包括交替而重復(fù)形成的像素電極4和公共電極5。沿像素邊緣設(shè)置的公共電壓線6,從而向公共電極5施加公共電壓Vcom。公共電壓線6在選通線2a的延伸方向互連。
然而,由于公共電壓線6的自身阻抗,導(dǎo)致施加到公共電壓線6的公共電壓Vcom(壓降)被降低,從而造成公共電壓不能一致地施加到TFT基板1的整個表面的問題。公共電壓的不一致性降低了畫面質(zhì)量,如殘留圖像或閃爍。
發(fā)明內(nèi)容
因此,為了解決上述問題,在此構(gòu)思所描述的各種特征。示例性實施方式的一方面用于提供一種能夠在顯示裝置顯示圖像時通過向薄膜晶體管基板的整個表面穩(wěn)定地施加一致的公共電壓而將閃爍和殘留圖像最小化的薄膜晶體管(TFT)基板。
本說明書提供了一種TFT基板,該TFT基板包括:多條選通配線;多條數(shù)據(jù)配線,其與所述選通配線絕緣交叉以限定多個像素;多條公共電壓線,其沿所述像素邊緣形成并且在所述選通配線的延伸方向上互連;以及多個公共電極,其形成在所述像素處,所述多個公共電極與所述公共電壓線部分交疊并且該所述多個公共電極在所述數(shù)據(jù)配線的延伸方向上互連。
這里,各像素包括顯示像素和偽像素,所述顯示像素位于形成圖像的顯示區(qū),而所述偽像素位于除顯示區(qū)以外的非顯示區(qū),并且各公共電極包括顯示部分公共電極、非顯示部分公共電極和公共電極連接單元,所述顯示部分公共電極形成在所述顯示像素處,所述非顯示部分公共電極形成在所述偽像素處,并且所述公共電極連接單元對所述顯示部分公共電極和所述非顯示部分公共電極進(jìn)行連接并對多個顯示部分公共電極進(jìn)行連接。
所述顯示部分公共電極包括第一顯示部分公共電極和第二顯示部分公共電極,所述第一顯示部分公共電極經(jīng)由公共電壓接觸孔與所述公共電壓線相連,所述第二顯示部分公共電極沿所述數(shù)據(jù)配線從所述第一顯示部分公共電極延伸,所述非顯示部分公共電極被形成為覆蓋所述偽像素的整個表面,并且經(jīng)由所述公共電壓接觸孔與所述公共電壓線相連。
所述顯示部分公共電極包括第一顯示部分公共電極和第二顯示部分公共電極,所述第一顯示部分公共電極經(jīng)由公共電壓接觸孔與所述公共電壓線相連,而所述第二顯示部分公共電極沿所述數(shù)據(jù)配線從所述第一顯示部分公共電極延伸,所述非顯示部分公共電極包括第一非顯示部分公共電極和第二非顯示部分公共電極,所述第一非顯示部分公共電極和第二非顯示部分公共電極分別形成在所述偽像素在所述數(shù)據(jù)配線的延伸方向上的兩端,并且經(jīng)由所述公共電壓接觸孔與所述公共電壓線相連。
所述第一非顯示部分公共電極可以被形成為與所述數(shù)據(jù)配線的端部相鄰,所述第二非顯示部分公共電極被形成為與所述顯示部分公共電極相鄰,并且所述連接部分公共電極對彼此相鄰設(shè)置的所述第二非顯示部分公共電極和所述第一顯示部分公共電極相連。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





