[發明專利]一種遠志毛狀根系培養生產遠志酸的方法

無效

• 申請號: 200710306547.4
• 申請日: 2007-12-30
• 公開（公告）號: CN101194598A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: 曲偉紅;趙建國;劉少武
• 申請（專利權）人: 九江學院
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00;C12N15/82
• 代理公司: 南昌新天下專利代理有限公司
• 代理人: 施秀瑾

1.一種遠志毛狀根系培養生產遠志酸的方法，其包括如下步驟：

(1)取無菌遠志種子，接種在幼苗培養基上進行幼苗培養，獲得無菌幼苗；

(2)取所述步驟(1)獲得的無菌幼苗的下胚軸、葉片外植體，放入預培養基進行暗培養；

(3)取所述步驟(2)中進行預培養的下胚軸、葉片等外植體，經發根農桿菌A4介導，進行轉化；

(4)將所述步驟(3)介導轉化后的下胚軸、葉片等外植體在預培養基進行弱光共培養；

(5)將所述步驟(4)進行共培養的下胚軸、葉片等外植體放入抑菌培養基進行抑菌繼代培養，直至外植體外形成毛狀根；

(6)將所述步驟(5)中抑菌培養的具有毛狀根的外植體放入毛狀根擴增培養基中進行毛狀根擴大培養；

(7)將所述步驟(6)中獲得的遠志毛狀根進行干燥，測定其所遠志皂苷等酸含量。

2.根據權利要求1所述的一種遠志毛狀根系培養生產遠志酸的方法，其特征在于，所述步驟(1)中的幼苗培養基是無菌遠志種子置于無激素的MS培養基中，28℃下進行培養2-3天。

3.根據權利要求1所述的一種遠志毛狀根系培養生產遠志酸的方法，其特征在于，所述步驟(2)的下胚軸、葉片外植體在預培養基進行的暗培養條件是將外植體放入預培養基在25℃培養24-72小時；所述培養基包括下述含量的組分：MS基本培養基+生長素2.0-10.0mg/L+細胞分裂素0.2-1.0mg/L，避光培養。

4.根據權利要求1所述的一種遠志毛狀根系培養生產遠志酸的方法，其特征在于，所述步驟(3)中預培養的外植體經發根農桿菌的介導轉化方法是，將預培養后的外植體置稀釋后的發根農桿菌A4菌液中，輕輕振蕩30min，進行介導轉化。

5.根據權利要求1所述的一種遠志毛狀根系培養生產遠志酸的方法，其特征在于，所述的發根農桿菌菌液是將發根農桿菌A4菌株置入YMB液體培養基中，22℃振蕩培養24h，120r/min，然后菌液進行離心，棄上清液，用無激素的MS培養基重懸浮并稀釋到，生長對數期的毛狀根農桿菌準備接種，用紫外分光光度計掃描，感染前稀釋至10⁶～10⁷個細菌/mL。

6.根據權利要求1所述的一種遠志毛狀根系培養生產遠志酸的方法，其特征在于，所述的步驟(4)中介導轉化后的下胚軸、葉片外植體的共培養是轉化的預培養基在弱光，1000lx，25℃培養72-96小時；所述培養基包括下述含量的組分：MS基本培養基+生長素2.0-10.0mg/L+細胞分裂素0.2-1.0mg/L，避光培養。

7.根據權利要求3或6所述的一種遠志毛狀根系培養生產遠志酸的方法，其特征在于，所述生長素為NAA，IAA，2，4-D中的一種；

8.根據權利要求3或6所述的一種遠志毛狀根系培養生產遠志酸的方法，其特征在于，所述細胞分裂素為6-BA，KT，ZT中的一種。

9.根據權利要求1所述的一種遠志毛狀根系培養生產遠志酸的方法，其特征在于，所述的步驟(5)中共培養的下胚軸、葉片外植體放入抑菌培養基進行抑菌繼代培養，是將介導轉化的下胚軸、葉片外植體放入抑菌培養基在25±2℃，24-48弱光中進行至少五次的繼代抑菌培養，直至將菌除凈。

10.根據權利要求1或9所述的一種遠志毛狀根系培養生產遠志酸的方法，其特征在于，所述的抑菌培養基包括下述含量的組分：無任何激素的MS培養基，頭孢類抗生素，如頭孢唑啉250-600mg/L。

11.根據權利要求1所述的一種遠志毛狀根系培養生產遠志酸的方法，其特征在于，所述的步驟(6)中將具有毛狀根的外植體放入毛狀根擴大培養基中25±2℃，2-3天進行擴增培養，或液體培養基中振蕩培養，100r/min，培養溫度23±1℃。

12.根據權利要求9所述的一種遠志毛狀根系培養生產遠志酸的方法，其特征在于，所述的擴增培養基包括下述含量的組分：不含激素的MS基本培養基或改良White瓊脂培養基，青霉素類抗生素，如羥芐青霉素250-600mg/L。