[發明專利]顯示裝置和電子設備有效
| 申請號: | 200710306183.X | 申請日: | 2007-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN101197381A | 公開(公告)日: | 2008-06-11 |
| 發明(設計)人: | 山中剛;松井雅史;建內滿;真城康人;仲島義晴 | 申請(專利權)人: | 索尼株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/144 | 分類號: | H01L27/144;H01L23/552;G02F1/1362;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 彭久云;馬高平 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 電子設備 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
至少一個像素部分,包括具有像素電極的顯示單元和具有光接收元件的光接收單元;和
屏蔽導電體,配置來將位于所述顯示單元側的像素電極從所述光接收元件電屏蔽,所述屏蔽導電體形成于所述像素電極和所述光接收元件之間,并且具有固定電勢。
2.如權利要求1所述的顯示裝置,還包括:
另一屏蔽導電體,配置來將位于所述顯示單元側的像素電極從光接收信號線電屏蔽,所述光接收信號線連接到所述光接收單元并且傳送由所述光接收元件接收的光而產生的光接收信號,所述另一屏蔽導電體形成于所述像素電極和所述光接收信號線之間,并且具有固定電勢。
3.如權利要求1所述的顯示裝置,其中所述屏蔽導電體采用現有的導電膜形成。
4.如權利要求2所述的顯示裝置,其中所述另一屏蔽導電體采用現有的導電膜形成。
5.如權利要求1所述的顯示裝置,其中所述屏蔽導電體在垂直于基板的主要表面的方向上在所述光接收元件的上方和下方中至少一個位置形成。
6.如權利要求2所述的顯示裝置,其中所述另一屏蔽導電體在垂直于基板的主要表面的方向上在所述光接收元件和所述光接收信號線的上方和下方中至少一個位置形成。
7.如權利要求1所述的顯示裝置,其中所述屏蔽導電體僅電屏蔽通過從所述光接收元件的整個區域中排除所述光接收元件的有源層的區域而得到的電極的部分。
8.如權利要求2所述的顯示裝置,其中所述另一屏蔽導電體僅電屏蔽通過從所述光接收元件的整個區域中排除所述光接收元件的有源層的區域而得到的電極的部分。
9.如權利要求1所述的顯示裝置,
其中所述光接收元件采用在絕緣基板上形成的薄膜晶體管形成,且
其中所述屏蔽導電體電屏蔽通過從所述薄膜晶體管的整個電極區域中排除作為所述光接收元件的薄膜晶體管的電極區域的部分而得到的區域。
10.如權利要求2所述的顯示裝置,
其中所述光接收元件采用在絕緣基板上形成的薄膜晶體管形成,且
其中所述另一屏蔽導電體電屏蔽通過從所述薄膜晶體管的整個電極區域中排除作為所述光接收元件的薄膜晶體管的電極區域的部分而得到的區域。
11.如權利要求1所述的顯示裝置,
其中所述光接收元件采用在絕緣基板上形成的二極管形成,且
其中所述屏蔽導電體電屏蔽通過從所述二極管的整個區域中排除作為所述光接收元件的二極管的有源層的區域而得到的區域。
12.如權利要求2所述的顯示裝置,
其中所述光接收元件采用在絕緣基板上形成的二極管形成,且
其中所述另一屏蔽導電體電屏蔽通過從所述二極管的整個區域中排除作為所述光接收元件的二極管的有源層的區域而得到的區域。
13.一種顯示裝置,包括:
以矩陣形式排列的多個像素部分,每個所述像素部分具有顯示單元和光接收單元,所述顯示單元包括像素電極和薄膜晶體管,所述薄膜晶體管配置為響應于施加到柵電極的掃描脈沖信號操作地連接所述像素電極和信號線,所述光接收單元包括光接收元件并且被連接到光接收信號線,通過所述光接收信號線傳送由所述光接收元件接收的光所產生的光接收信號;和
屏蔽導電體,配置來將位于所述顯示單元側的像素電極從所述光接收元件和/或所述光接收信號線電屏蔽,所述屏蔽導電體形成于所述像素電極和所述光接收元件之間以及所述像素電極和所述光接收信號線之間至少之一,并且具有固定電勢。
14.如權利要求13所述的顯示裝置,其中所述屏蔽導電體在垂直于基板的主要表面的方向上在所述光接收元件和/或所述光接收信號線的上方和下方中至少一個位置形成。
15.如權利要求13所述的顯示裝置,其中所述屏蔽導電體僅屏蔽通過從所述光接收元件的整個區域中排除所述光接收元件的有源層區域而得到的電極的部分。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于索尼株式會社,未經索尼株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710306183.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





