[發明專利]輔助座、半導體激光裝置及其制造方法、全息激光裝置以及光拾取裝置

無效

• 申請號: 200710306151.X
• 申請日: 2007-10-08
• 公開（公告）號: CN101188343A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 熊谷宗鄉
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022;H01S5/40;G11B11/10;G11B33/12;G11B7/125
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 葛青

1.一種輔助座，其特征在于，包括：

以Si為主要材料的襯底；

在所述襯底表面中的應于上方安裝半導體激光器芯片的區域擴散摻雜物而形成的摻雜物擴散層；

在所述摻雜物擴散層上依次層積的Au層及AuSn層；

插在所述摻雜物擴散層與所述Au層之間的防止所述摻雜物擴散層與所述Au層、AuSn層之間的元素擴散的TiW層；以及

插在所述Au層與所述AuSn層之間的Pt層，

所述Pt層的厚度根據設于所述半導體激光器芯片下面的Au電極層的厚度、所述Au層的厚度、所述AuSn層的厚度及組成比進行設定，以使得在用于接合所述半導體激光器芯片的所述AuSn層熔融時殘存所述Pt層。

2.如權利要求1所述的輔助座，其特征在于，

具有Ni層以代替所述Pt層，

所述Ni層的厚度根據設于所述半導體激光器芯片下面的Au電極層的厚度、所述Au層的厚度、所述AuSn層的厚度及組成比進行設定，以使得在用于接合所述半導體激光器芯片的所述AuSn層熔融時殘存所述Ni層。

3.如權利要求1所述的輔助座，其特征在于，

在所述襯底表面置入有監控所述半導體激光器芯片輸出的受光元件。

4.如權利要求2所述的輔助座，其特征在于，

在所述襯底表面置入有監控所述半導體激光器芯片輸出的受光元件。

5.如權利要求1所述的輔助座，其特征在于，

在形成于所述襯底上的所述AuSn層的正下方平坦地形成有所述Pt層、所述Au層、所述TiW層、以及比該TiW層更下的層。

6.如權利要求2所述的輔助座，其特征在于，

在形成于所述襯底上的所述AuSn層的正下方平坦地形成有所述Ni層、所述Au層、所述TiW層、以及比該TiW層更下的層。

7.一種半導體激光裝置的制造方法，其對于權利要求1所述的輔助座接合具有Au電極層的半導體激光器芯片，其特征在于，

將所述輔助座加熱至280℃～400℃的范圍內，以使所述AuSn層熔融；

相對于所述輔助座按壓半導體激光器芯片，使半導體激光器芯片的Au電極層與該熔融的AuSn層相接；

然后，使所述輔助座和半導體激光器芯片冷卻，而使所述AuSn層固化。

8.一種半導體激光裝置的制造方法，其對于權利要求2所述的輔助座接合具有Au電極層的半導體激光器芯片，其特征在于，

將所述輔助座加熱至280℃～400℃的范圍內，以使所述AuSn層熔融；

相對于所述輔助座按壓半導體激光器芯片，使半導體激光器芯片的Au電極層與該熔融的AuSn層相接；

然后，使所述輔助座和半導體激光器芯片冷卻，而使所述AuSn層固化。

9.一種半導體激光裝置，其包括具有以Si為主要材料的襯底的輔助座以及安裝于該輔助座上的半導體激光器芯片，其特征在于，

在所述輔助座的襯底表面中的從上方安裝半導體激光器芯片的區域擴散摻雜物而形成摻雜物擴散層，

在所述襯底表面的所述摻雜物擴散層與所述半導體激光器芯片的半導體材料層之間，從所述摻雜物擴散層側依次至少存在TiW層、Au層、Pt層、AuSn層。

10.一種半導體激光裝置，其包括具有以Si為主要材料的襯底的輔助座以及安裝于該輔助座上的半導體激光器芯片，其特征在于，

在所述輔助座的襯底表面中的從上方安裝半導體激光器芯片的區域擴散摻雜物而形成摻雜物擴散層，

在所述襯底表面的所述摻雜物擴散層與所述半導體激光器芯片的半導體材料層之間，從所述摻雜物擴散層側依次至少存在TiW層、Au層、Ni層、AuSn層。

11.一種全息激光裝置，其特征在于，其成一體地包括：

安裝于由金屬構成的散熱器部的權利要求9所述的半導體激光裝置；

使所述半導體激光器芯片射出的激光朝向光記錄媒體通過或衍射的全息元件；以及

將來自所述光記錄媒體而通過所述全息元件返回的光接收并轉換成信號的受光元件。