[發明專利]半導體器件及其形成方法

無效

• 申請號: 200710306130.8
• 申請日: 2007-09-14
• 公開（公告）號: CN101188239A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 張永哲;趙源錫;張在焄;鄭舜文;孫良銹;宋玟晟
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L23/522;H01L21/8239;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底，包括具有單元區域的第一區域和具有外圍電路區域的第二區域；

該半導體襯底上的第一晶體管；

覆蓋該第一晶體管的第一保護層；

該第一保護層上的第一絕緣層；

該第一區域中的該第一絕緣層上的半導體圖案；

該半導體圖案上的第二晶體管；

覆蓋該第二晶體管的第二保護層；以及

該第二保護層和該第二區域的該第一絕緣層上的第二絕緣層。

2.如權利要求1所述的器件，其中，該半導體圖案不在該第二區域中。

3.如權利要求2所述的器件，其中，該第二保護層不在該第二區域中。

4.如權利要求1所述的器件，其中，該第二保護層具有比該第一保護層更厚的厚度。

5.如權利要求1所述的器件，其中，該第一晶體管包括該第一區域中的單元晶體管和該第二區域中的外圍電路晶體管，該器件還包括：

至少一個第一接觸栓塞，其穿透該第二絕緣層和該第二保護層以接觸第二晶體管；以及

至少一個第二接觸栓塞，其穿透該第二絕緣層、該第二保護層、該第一絕緣層、和該第一保護層以接觸外圍電路晶體管。

6.如權利要求1所述的器件，其中，該第一保護層和該第二保護層對該第一絕緣層和該第二絕緣層具有蝕刻選擇性。

7.一種半導體器件，包括：

半導體襯底，包括具有單元區域的第一區域和具有外圍電路區域的第二區域；

該第一區域中的該半導體襯底上的第一串選擇線、第一接地選擇線、和第一字線，該第一字線設置在該第一串選擇線和該第一接地選擇線之間；

該第二區域中的該半導體襯底上的外圍電路晶體管；

第一保護層，覆蓋該第一串選擇線、該第一接地選擇線、該第一字線、和該外圍晶體管；

該第一保護層上的第一絕緣層；

該第一區域中的該第一絕緣層上的半導體圖案；

該半導體圖案上的第二字線；

覆蓋該第二字線的第二保護層；

第二絕緣層，設置在該第二保護層和該第二區域中的該第一絕緣層上；

第一接觸栓塞，穿透該第二絕緣層和該第二保護層以接觸第二字線；以及

第二接觸栓塞，穿透該第二絕緣層、該第二保護層、該第一絕緣層、和該第一保護層以接觸外圍電路晶體管。

8.如權利要求7所述的器件，其中，該半導體圖案不在該第二區域中。

9.如權利要求8所述的器件，其中，該第二保護層不在該第二區域中。

10.如權利要求7所述的器件，其中，該第二保護層具有比該第一保護層更厚的厚度。

11.如權利要求7所述的器件，還包括：

第三接觸栓塞，其穿透該第二絕緣層、該第二保護層、該半導體圖案、該第一絕緣層、和該第一保護層以在該第一串選擇線的一側接觸該半導體襯底；以及

第四接觸栓塞，其穿透該第二絕緣層、該第二保護層、該半導體圖案、該第一絕緣層、和該第一保護層以接觸該第一字線。

12.如權利要求11所述的器件，其中，該第三接觸栓塞和該第四接觸栓塞是相同的材料。

13.如權利要求7所述的器件，其中，該第一接觸栓塞和第二接觸栓塞是相同的材料。

14.如權利要求7所述的器件，其中，該第一保護層和該第二保護層對該第一絕緣層和該第二絕緣層具有蝕刻選擇性。

15.如權利要求7所述的器件，還包括該半導體圖案上的第二串選擇線和第二接地選擇線，該第二串選擇線和該第二接地選擇線分別對應于該第一串選擇線和該第一接地選擇線。

16.如權利要求15所述的器件，還包括公共源極線，其穿透該第二絕緣層、該第二保護層、該半導體圖案、該第一絕緣層、和該第一保護層，其中該公共源極線電連接該第一接地選擇線和該第二接地選擇線。