[發(fā)明專利]非平面基板條以及使用于半導(dǎo)體封裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710306124.2
• 申請日: 2007-12-28
• 公開（公告）號: CN101471319A
• 公開（公告）日: 2009-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 范文正
• 申請（專利權(quán)）人: 力成科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽 寧;張華輝

1、一種非平面基板條，其特征在于具有多個基板單元以及一圍繞該些基板單元的側(cè)軌，該非平面基板條包括：

一基板核心層，具有一晶片設(shè)置表面與一外表面；

一外防焊層，形成于該基板核心層的外表面，該外防焊層具有一第一覆蓋面積與一第一厚度，該第一覆蓋面積覆蓋至該些基板單元；以及

一圖案化厚膜防焊層，形成于該基板核心層的晶片設(shè)置表面，該圖案化厚膜防焊層具有一第二覆蓋面積與一第二厚度，該第二覆蓋面積小于該第一覆蓋面積而僅覆蓋該側(cè)軌而顯露該基板核心層的晶片設(shè)置表面位于該些基板單元的部位，該第二厚度大于該第一厚度。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非平面基板條，其特征在于其中所述的第二厚度介于20至40微米，該第一厚度介于10至30微米。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非平面基板條，其特征在于其中所述的第二厚度與該第一厚度的厚度差值為10微米。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非平面基板條，其特征在于其中在每一基板單元內(nèi)開設(shè)至少一打線槽孔。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非平面基板條，其特征在于其中所述的圖案化厚膜防焊層為環(huán)狀框形。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非平面基板條，其特征在于其中所述的圖案化厚膜防焊層與該外防焊層具有相同防焊材質(zhì)。

7、一種半導(dǎo)體封裝方法，使用權(quán)利要求1所述的非平面基板條進(jìn)行，其特征在于其包括以下步驟：

設(shè)置多個晶片于該非平面基板條的晶片設(shè)置表面上，藉由一粘晶材料粘附于該晶片設(shè)置表面位于該些基板單元的顯露部位；

電性連接該些晶片至該非平面基板條；

形成一封膠體于該非平面基板條，以密封該些晶片；以及

切割該非平面基板條，以使該些設(shè)置有已封膠晶片的基板單元分離并使該包括該圖案化厚膜防焊層的側(cè)軌與該些基板單元分離。

8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征在于其中所述的封膠體直接粘著于該晶片設(shè)置表面位于該些基板單元內(nèi)且未被該些晶片覆蓋的顯露部位。

9、根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征在于另包括的步驟有：設(shè)置多個外接端子于該非平面基板條的外表面。

10、根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征在于其中所述的第二厚度介于20至40微米，該第一厚度介于10至30微米。

11、根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征在于其中所述的第二厚度與該第一厚度的厚度差值為10微米。

12、根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝方法，其中在每一基板單元內(nèi)開設(shè)至少一打線槽孔，并在上述電性連接步驟中形成多個通過該些打線槽孔的焊線。

13、根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征在于其中所述的圖案化厚膜防焊層與該外防焊層具有相同防焊材質(zhì)。