[發明專利]對虛擬接地存儲器的可變編程及編程驗證的方法

有效

• 申請號: 200710305952.4
• 申請日: 2007-12-28
• 公開（公告）號: CN101211663A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 陳銘祥;呂文彬;黃怡仁;秦啟元;鄒年凱
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/30
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 王英

1.一種編程一具有多條位線的虛擬接地存儲器的方法，所述存儲器的一位線連接到多個存儲單元M0至Mn，其中所述存儲單元M0位于所述位線的一第一位置，所述存儲單元M1位于所述位線的一第二位置，所述存儲單元M2位于所述位線的一第三位置，所述存儲單元Mn-2位于所述位線的一第四位置，所述存儲單元Mn-1位于所述位線的一第五位置，所述存儲單元Mn位于所述位線的一第六位置，所述多個存儲單元M0至Mn被區分為一第一組存儲單元以及一第二組存儲單元，所述方法包含下列步驟：

通過施加一第一偏壓至所述第一組存儲單元以編程所述第一組存儲單元，所述第一組存儲單元包含所述存儲單元M0位于所述位線的所述第一位置及所述存儲單元Mn位于所述位線的所述第六位置，位于所述第一位置的所述存儲單元M0及位于所述第六位置的所述存儲單元Mn作為所述位線最靠近接觸窗的存儲單元；以及

通過施加一第二偏壓至所述第二組存儲單元以編程所述第二組存儲單元，所述第二組存儲單元包含所述存儲單元M1位于所述位線的所述第二位置及所述存儲單元Mn-1位于所述位線的所述第五位置，所述存儲單元M1及Mn-1遠離接觸窗；

其中所述第二偏壓具有足夠大于所述第一偏壓的一電壓值。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述第一偏壓包含一第一漏極偏壓Vd1。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述第二偏壓包含一第二漏極偏壓Vd2，所述第二漏極偏壓Vd2相當于所述第一漏極偏壓Vd1加上ΔVd的總和。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述第一偏壓包含一第一柵極偏壓Vg1。

5.如權利要求4所述的方法，其中所述第二偏壓包含一第二柵極偏壓Vg2，所述第二柵極偏壓Vg2相當于所述第一柵極偏壓Vg1加上ΔVg的總和。

6.如權利要求1所述的方法，其中多個存儲單元包含一第三組存儲單元，還包含通過施加一第三偏壓至所述第三組存儲單元以編程所述第三組存儲單元，所述第三組存儲單元包含所述存儲單元M2位于所述位線的所述第三位置及所述存儲單元Mn-2位于所述位線的所述第四位置。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述第三偏壓包含一第三漏極偏壓Vd3，所述第三漏極偏壓Vd3相當于所述第一漏極偏壓Vd1加上2ΔVd的總和。

8.如權利要求6所述的方法，其中所述第三偏壓包含一第三柵極偏壓Vg3，所述第三柵極偏壓Vg3相當于所述第一柵極偏壓Vg1加上2ΔVg的總和。

9.如權利要求1所述的方法，還包含軟退火所述第一組存儲單元及所述第二組存儲單元。

10.如權利要求9所述的方法，還包含通過施加一第一編程驗證偏壓PV1至所述第一組存儲單元M0及Mn以編程驗證所述第一組存儲單元。

11.如權利要求10所述的方法，還包含通過施加一第二編程驗證偏壓PV2至所述第二組存儲單元M1及Mn-1以編程驗證所述第二組存儲單元。

12.如權利要求1所述的方法，其中施加所述第一偏壓至所述第一組存儲單元M0及Mn與施加所述第二偏壓至所述第二組存儲單元M1及Mn-1同時發生。